[보고서]MLCC 이송용 고양산성 Chip Mounter Nozzle 제작을 위한 부품 표면 특성 개선 기술 개발

보고서 정보

주관연구기관

홍익대학교
Hongik University

보고서유형

최종보고서

발행국가

대한민국

언어

한국어

발행년월

2014-10

과제시작연도

2013

주관부처

중소기업청
Small and Medium Business Administration

등록번호

TRKO201500005329

과제고유번호

1425083100

사업명

도약기술개발사업

DB 구축일자

2015-06-06

표 표면 실장 기술을 이용해 이송 운반되는 전자부품의 크기 (길이 & 폭)
표 MLCC(Multi-layered Ceramic Capacitors) 제품 크기에 대한 상대적인 비교
표 MLCC (Multi-layered Ceramic Capacitor)의 표시 방법
표 MLCC부품의 크기 관련 사양 (Specification)
표 연구 과제 추진 세부 일정
표 MLCC Chip Mounter 이송 불량 평가실 (a) 1차 실험 공간 & (b) 최종 실험 공간
표 MLCC 불량 이송 평가 장치 Unit
표 MLCC불량 이송 평가 장치 구성 (a) Push-Pull gauge, (b) Push-Pull gauge 하단부와 MLCC Strip 이송 장치의 결합된 모습 (c) Push-Pull gauge에 Chip Mounter Nozzle을 고정하는 Nozzle Holder 도면
표 MLCC불량 이송 평가 장치의 MLCC 부품 공급 장치 (a) 장치 상측 도면, (b) 장치 하측 도면, (c) MLCC Strip이 없을 때의 모습, 및 (d) MLCC Strip이 있을 때의 모습
표 MLCC불량 이송 평가 장치의 Chip Mounter Nozzle를 이용한 MLCC 이송 불량 모니터링 시스템
표 기계적 변형에 중점을 둔 실험 계획법 데이터
표 실험계획법을 적용한 불량 이송 분석 결과 (a) 주효과도 & (b) 상호 효과도
표 MLCC이송 불량 원인 규명을 위한 실험 계획법 데이터 (2차)
표 MLCC 이송 불량률에 영향을 미치는 변수의 (a) 정규확률도와 (b) Pareto Chart
표 MLCC 이송 불량률에 영향을 미치는 변수의 (a) 주효과도(Main Effect Plot)와 (b) 상호 효과도 (Interaction Plot)
표 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)의 구성: (a) 개략적인 모습, (b) 온도의존성, (c) 원자층 증착 장비 구성도, 및 (d) 1 Cycle의 구성 예시 (TMA& H2O의 경우)
표 원자층 증착법에 사용된 금속 전구체의 화학식 및 전구체의 분자 구조 (a) Diethyl Zinc (DEZ: (C2H5)2Zn) & (b) Tri-Methyl Aluminum (TMA: (CH3)3Al)
표 ZnO박막의 원자층 증착 공정시의 Pulse Time 의존성 (a) DEZ(Zn 전구체) & (b) H2O (산소 공급원)
표 ZnO박막의 원자층 증착 공정시의 ALD Cycle Number 의존성
표 ZnO 박막의 원자층 증착 공정시의 증착 온도 의존성
표 ZnO박막의 원자층 증착 공정시의 균일도 평가 결과(125oC DEZ: 0.4sec, H2O: 0.4 sec, ALD Cycle No.: 50 Cycle)
표 ALD공정시의 ZnO 표준 공정 조건
표 Al2O3박막의 원자층 증착 공정시의 Pulse Time 의존성 (a) TMA (Al 전구체) & (b) H2O (산소 공급원)
표 Al2O3박막의 원자층 증착 공정시의 ALD Cycle Number 의존성
표 Al2O3 박막의 원자층 증착 공정시의 증착 온도 의존성
표 Al2O3 박막의 원자층 증착 공정시의 균일도 평가 결과 (150oC TMA: 0.3sec, H2O: 0.3 sec, ALD Cycle No.: 100 Cycle)
표 ALD공정시의 Al2O3 표준 공정 조건
표 ALD 공정으로 증착된 ZnO 나노박막의 전기적 특성 결과 (증착 조건: 150oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 300 Cycle)
표 Chip Mounter Nozzle 제품 제작 공정 흐름도
표 Nozzle 제조 단계별 외형 이미지 (a) 사출, (b) 추출, (c) 탈지 & (d) 소결
표 Chip Mounter Nozzle 모재의 공정 단계별 미세구조 분석: (a) 사출 단계, (b) 추출단계, (c) 탈지 단계 & (d) 소결 단계
표 탄화(Carbonization) 전후의 Nozzle 이미지(a) 탄화(Carbonization) 전의 Nozzle & (b) 탄화(Carbonization) 후의 Nozzle
표 Chip Mounter Nozzle의 Carbonization 전후 공정 단계에서의 미세구조 (a) 탄화 공정 전의 모습 & (b) 탄화 후의 모습.
표 1005 MLCC의 외형 및 미세구조 (a) 1005 MLCC의 전체적인 모습, (b) 1005 MLCC의 전체적인 모습 (c) MLCC 좌측 전극 부근의 모습, 및 (d) MLCC 우측 전극 부근의 모습
표 0603 MLCC의 외형 및 미세구조: (a) 0603 MLCC의 전체적인 모습, (b) 0603 MLCC의 전체적인 모습, (c) MLCC 좌측 전극 부근의 모습, 및 (d) MLCC 우측 전극 부근의 모습
표 0603 MLCC의 불량 이송이 발생한 시편의 기계적 변형의 다양한 유형들
표 0603 MLCC의 낮은 하중 & 느린 속도(붙지 않은 조건)에서의 기계적 변형 모습 (a) 저배율 & (b) 고배율
표 0603 MLCC의 낮은 하중 & 빠른 속도(붙지 않은 조건)에서의 기계적 변형 모습 (a) 저배율 & (b) 고배율
표 0603 MLCC의 높은 하중 & 빠른 속도(붙지 않은 조건)에서의 기계적 변형 모습 (a) 저배율 & (b) 고배율
표 Si 기판위에 증착된 Al2O3 나노 박막의 XPS 분석 결과 (a) Al 2p peak & (b) O 1s peak
표 Si 기판위에 증착된 Al2O3 나노 박막의 XPS 분석의 Depth Profile 분석 결과
표 소결된 지르코니아 소재에 Al2O3 나노 박막의 XPS 분석 결과 (a) Al 2p peak & (b) O 1s peak
표 소결된 지르코니아 소재에 Al2O3 나노 박막의 XPS Depth Profile 분석 결과
표 소결공정 및 탄화 공정을 통해 준비된 지르코니아 소재에 대한 Al2O3 나노 박막의 XPS 분석 결과. (a) Al 2p peak & (b) O 1s peak
표 소결공정 및 탄화 공정을 통해 준비된 지르코니아 소재에 대한 Al2O3 나노 박막의 XPS Depth Profile 분석 결과
표 소결공정 및 탄화 공정후 DLC 코팅된 지르코니아 소재에 대한 Al2O3 나노 박막의 XPS 분석 결과. (a) Al 2p peak & (b) O 1s peak
표 소결공정 및 탄화 공정후 DLC 코팅된 지르코니아 소재에 대한 Al2O3 나노 박막의 XPS Depth Profile 분석 결과
표 Ar Sputtering후에 분석된 Al2O3나노 박막의 XPS 분석 결과 요약
표 Si기판위에 코팅된 Reference목적의 ZnO박막에 대한 XPS 분석 (a) Zn 2p Core Spectrum & (b) O 1s Core Spectrum (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 Si 기판 위에 코팅된 Reference목적의 ZnO 박막에 대한 XPS 분석의 Depth Profile 결과 (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결된 지르코니아 소재에 코팅된 ALD ZnO박막에 대한 XPS 분석 (a) Zn 2p Core Spectrum & (b) O 1s Core Spectrum (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결된 지르코니아 소재에 코팅된 ZnO 박막에 대한 XPS 분석의 Depth Profile 결과 (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결과 탄화공정이 진행된 지르코니아 소재에 코팅된 ALD ZnO박막에 대한 XPS 분석 (a) Zn 2p Core Spectrum & (b) O 1s Core Spectrum (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결과 탄화공정이 진행된 지르코니아 소재에 코팅된 ZnO 박막에 대한 XPS 분석의 Depth Profile 결과 (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결, 탄화공정, 및 DLC코팅 공정이 진행된 지르코니아 소재에 코팅된 ALD ZnO박막에 대한 XPS 분석 (a) Zn 2p Core Spectrum & (b) O 1s Core Spectrum (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 소결공정, 탄화공정, 및 DLC 코팅 공정이 진행된 지르코니아 소재에 코팅된 ZnO 박막에 대한 XPS 분석의 Depth Profile 결과 (증착 조건: 120oC, Zn(C2H5)2 Pulse: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle: 100 Cycle)
표 Ar Sputtering후에 분석된 ZnO나노 박막의 XPS 분석 결과 요약(표준 조건: 온도: 120oC, DEZ: 0.4 sec, H2O: 0.4 sec, Cycle No.:100)
표 원자층 증착법을 이용한 Al2O3 나노 박막 코팅 실험에 사용된 MLCC 소자
표 MLCC 부품위로의 초박막 ALD 산화물 코팅을 위한 시편 준비 과정 (a) 0603 MLCC 상용 Strip (b) MLCC 분실 방지용 Ti Mesh (c) MLCC 부품 지지를 위한 Si wafer (d) Si wafer위로 올려진 MLCC 부품들 (e) Si 기판위의 MLCC부품들을 Ti-Mesh로 Cover한 모습 (f) 고온테이프를 이용하여 Ti-Mesh을 Si 기판에 고정한 모습
표 MLCC 상층부 (영역 I)에서의 화학조성 분석. (a) Al 2p, (b) O 1s, & (c) Sn 3d (ALD (Al2O3) 공정 조건: TMA: 1sec, H2O: 1sec, Purge: 90 sec, Temperature: 150oC & Cycle No.: 100)
표 MLCC 중앙 부분 (영역 II)에서의 화학조성 분석. (a) Al 2p, (b) O 1s, & (c) Sn 3d (ALD 공정 조건: TMA: 1sec, H2O: 1sec, Purge: 90 sec, Temperature: 150oC & Cycle No.: 100)
표 MLCC 중앙 부분 (영역 III)에서의 화학조성 분석. (a) Al 2p, (b) O 1s, & (c) Sn 3d (ALD(Al2O3) 공정 조건: TMA: 1sec, H2O: 1sec, Purge: 90 sec, Temperature: 150oC & Cycle No.: 100)
표 MLCC부품의 Cold Isostatic Pressing (CIP) 공정 적용 모습 (Strip에서 제거된 후에 독립적으로 CIP 공정을 적용한 모습)
표 MLCC부품의 Cold Isostatic Pressing (CIP) 공정 적용 모습 (Strip에서 제거되지 않은 상태로 CIP 공정을 적용한 모습)
표 Cold Isostatic Pressing공정 적용에 따른 MLCC 이송 불량 분석 ((주)맥텍 측정)
표 원자층 증착 장비에 장착된 Chip Mounter Nozzle 부분
표 Chip Mounter Nozzle 표면 위로 ALD방법으로 산화물 나노코팅 한 경우의 MLCC 이송 불량 결과 ((주)맥텍 측정)
표 MLCC위로 ALD방법으로 산화물 나노코팅 한 경우의 MLCC 이송 불량 결과 ((주)맥텍 측정)
표 MLCC위로의 Al2O3 나노코팅 유무에 따른 MLCC 표면 사진 모습 (MLCC 이송 불량이 발생한 후 강제로 제거한 후의 결과) (a) 40 nm Al2O3 (400 ALD Cycle) (b) 40 nm ZnO (200 ALD Cycle) (c) ALD 코팅이 되지 않은 상태 (a) 10 nm Al2O3 (100 ALD Cycle)
표 MLCC 이송 불량이 발생하지 않은 MLCC의 부품 사진
표 MLCC위로 ALD방법으로 산화물 나노코팅 한 경우의 MLCC 이송 불량 결과 ((주)맥텍 측정)
표 노코팅된 Chip Mounter Nozzle 시제품의 다양한 형상
표 표 14에 예시된 다양한 노즐 형상을 갖춘 ALD-Coated Chip Mounter Nozzle 시제품들
표 MLCC를 포함한 적층형 Chip 부품 표면의 원자층 증착 공정을 이용한 나노코팅 특허
표 MLCC를 포함한 적층형 Chip 부품을 위한 원자층 증착 장비 개념 특허

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과제기간(DetailSeriesProject) :	-
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