초록 ▼

개발목표
계 획
◦ 칩 사이즈 : 1x1 mm² Flip chip
◦ 파장 : 455nm ± 5
◦ Vf : 3.3V 이하
◦ 광출력 : 450mW 이상
◦ 반사막 반사도 : 80% 이상
실 적
◦ 칩 사이즈 : 1x1 mm² Flip chip
◦ 파장 : 455nm
◦ Vf : 3.29V
◦ 광출력 : 507mW 이상
◦ 반사막 반사도 : 84%
정량적 목표항목 및 달성도
1. N-GaN 결정성 (002) XRD 20

개발목표
계 획
◦ 칩 사이즈 : 1x1 mm² Flip chip
◦ 파장 : 455nm ± 5
◦ Vf : 3.3V 이하
◦ 광출력 : 450mW 이상
◦ 반사막 반사도 : 80% 이상
실 적
◦ 칩 사이즈 : 1x1 mm² Flip chip
◦ 파장 : 455nm
◦ Vf : 3.29V
◦ 광출력 : 507mW 이상
◦ 반사막 반사도 : 84%
정량적 목표항목 및 달성도
1. N-GaN 결정성 (002) XRD 207arcsec / 2. MQW IQE 85.7% / 3. p-GaN doping level 8.7E17/cm3 / 4. LED 파장 455nm / 5. 광출력 507mW / 6. 구동 전압 3.29V
기대효과
개발된 Flip-chip용 에피성장기술과 공정기술을 통해 현재 국내 중소 LED PKG 업체에서 사용하고 있는 대만산 Lateral type의 LED Chip칩을 대체할 수준의 고출력 Flip-chip기술이 확보되었다 판단되며 이를 통해 수입대체, 수출증대의 효과가 기대된다. Flip Chip은 wire bonding이 필요 없어 PKG 공정이 간편해지므로 기존 Lateral Chip 시장을 대체 할 것으로 예상된다.
적용분야
일반 조명 및 LCD 백라이트에 적용되는 고휘도 LED 칩 제작에 적용 가능.
다양한 파장의 LED(UV, Green, Blue, Red, IR LED) 등에 기술 적용 가능.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 요약서 (초록) ... 3
• 목차 ... 4
• 제 1 장 개발기술의 개요 ... 5
• 제 1 절 대상기술의 개요 및 개발 필요성 ... 5
• 1. 대상기술의 개요 ... 5
• 2. 개발 필요성 ... 6
• 제 2 절 기술개발시 예상되는 효과 및 활용방안 ... 8
• 1. 기술개발 효과 ... 8
• 2. 개발기술 활용방안 ... 10
• 제 3 절 관련기술 현황 ... 11
• 1. 국내․외 관련기술의 현황 ... 11
• 2. 국내․외 시장 현황 ... 14
• 제 2 장 개발목표 및 개발내용 ... 16
• 제 1 절 기술개발 목표 ... 16
• 1. 최종목표 ... 16
• 2. 기술개발 내용 ... 16
• 제 2 절 세부 개발내용 및 방법 ... 25
• 1. Flip chip용 에피 성장 기술 ... 25
• 2. Flip chip 제조공정 기술 ... 35
• 제 3 장 성과요약 및 기대효과 ... 57
• 제 1 절 성과요약 ... 57
• 1. Flip chip용 에피 성장 기술 ... 57
• 2. Flip chip 제조공정 기술 ... 57
• 제 2 절 기대효과 ... 59
• 1. 기술적 효과 ... 59
• 2. 경제적 효과 ... 60
• 3. 활용 방안 ... 60
• 4. 제품화, 양산 전략 및 계획 ... 60
• 별첨1. 시제품 시험성적서 ... 61
• 별첨2. 특허 출원 ... 65
• 끝페이지 ... 66