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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)테스 |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-10 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
등록번호 | TRKO201500014454 |
과제고유번호 | 1425082121 |
사업명 | 기술혁신개발사업 |
DB 구축일자 | 2015-09-26 |
키워드 | 반도체.3차원.패키지.실리콘관통전극.보호막. |
□ 개발목표
계획
고생산성 TSV Passivation 핵심모듈 및 저온 공정기술 개발
실적
양산용 고생산성 TSV Passivation 핵심모듈 및 저온 공정기술 개발
□ 정량적 목표항목 및 달성도
1. Depo. Rate (Oxide) : 계획(10,000 이상), 실적(14,065 Å/min)
2. Depo. Rate (Nitride) : 계획(7,000 이상), 실적(7,809 Å/min)
3. Max. Thickness (Oxide) : 계획(6 이상), 실적(7.2 μm)
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