초록 ▼

최종목표
○ 신개념 습식배선 구현을 위한 무전해 Cu 및 전해 Cu 도금액 실용화
○ 습식배선공정 양산인자 도출을 위한 6, 8, 12인치 웨이퍼용 범용 Pilot 무전해 도금 Cell 개발
○ 미세배선 확산방지막 보강용(Barrier-enhancing) 무전해 Co 도금/ALD Co 공정 개발
○ 미세배선의 EM 신뢰성 증가를 위한 무전해 Co-3원계 피복층 개발
○ 미세배선 gap-fill 특성 향상을 위한 Pulse/Pulse-reverse 전해 Cu 도금 공정, Direct 전해 Cu 공정 개발

최종목표
○ 신개념 습식배선 구현을 위한 무전해 Cu 및 전해 Cu 도금액 실용화
○ 습식배선공정 양산인자 도출을 위한 6, 8, 12인치 웨이퍼용 범용 Pilot 무전해 도금 Cell 개발
○ 미세배선 확산방지막 보강용(Barrier-enhancing) 무전해 Co 도금/ALD Co 공정 개발
○ 미세배선의 EM 신뢰성 증가를 위한 무전해 Co-3원계 피복층 개발
○ 미세배선 gap-fill 특성 향상을 위한 Pulse/Pulse-reverse 전해 Cu 도금 공정, Direct 전해 Cu 공정 개발

개발내용 및 결과
○ 20nm급 미세배선 형성을 위한 무전해 Cu 도금 공정 및 도금액 개발
○ 습식배선 공정 양산인자 도출을 위한 Pilot 도금장치 개발
○ 개발된 전해/무전해 Cu 도금액을 이용한 PCB, 반도체에 응용 가능한 제품 개발 및 기존 제품 개선 - 시제품

기술개발 배경
○ 현재 미세배선기술인 건식공정의 한계를 극복하는 동시에 양산성 및 가격경쟁력을 확보하기 위해 습식공정의 개발

핵심개발 기술의 의의
○ 20nm급 미세배선 형성을 위한 무전해/전해 Cu 도금 공정 및 도금액 개발
○ 상기 1번 기술을 응용한 PCB Via Fill용 전해 Cu 도금액 개발 및 상용화
○ 상기 1번 기술을 구현할 Pilot 장치 개발
○ 상기 2번 기술 상용화의 공정양산인자 도출을 위한 Pilot 장치 개발
○ 상기 1번 기술을 구현하기 위한 미세패턴 Trench Wafer 제작 공정 최적화
○ 상기 1~5번은 8인치 Wafer를 기준으로 구현된 것으로, 현재 양산에 적용되고 있는 12인치 Wafer로 추가 TEST가 필요하나 Sample의 제작 단가가 높음1)

적용 분야
○ 초집적 미세패턴배선형성용 무전해 Cu 도금액
○ PCB Via Fill용 전해 Cu 도금액
○ 그 외 구리도금이 사용되는 PCB, IC, PKG 등의 표면처리제품에 이용가능

(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록)