최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국반도체연구조합 Consortium of Semiconductor Advanced Research |
---|---|
연구책임자 | 윤의준 |
참여연구자 | 정수진 , 정탁 , 김창해 , 심종인 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-10 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
과제관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201700001282 |
과제고유번호 | 1415121901 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 내부양자효율.외부양자효율.질화물 반도체.발광 다이오드.양자우물.수직형칩.광반도체.질화물 형광 소재.고연색.도포기술.신뢰성.LED lighting.luminescent material. |
최종목표
ㅇ 내부양자효율 향상을 위한 에피성장 기반기술 개발
ㅇ 외부양자효율 향상을 위한 기반기술 개발
ㅇ 160 lm/W청색 LED 기반 조명용 고효율 형광 소재 및 도포방법 개발
ㅇ Wafer level 고장 진단 및 분석기술 개발
개발내용 및 결과
ㅇ 1단계 결과 요약
- 내부양자효율 향상을 위한 에피 성장 기반 기술 개발
* 저 결정결함 GaN Template 개발
· 중공구조물을 이용한 저결함 GaN 에피성장기술 등
· XRD 반폭치 : < 250 arcsec 〔
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.