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핵심기술
o 극자외선 리소그래피 블랭크 마스크용 흡수체 개발
o 20nm 이하급 반도체 공정에 사용되는 20nm 이하의 초임계 합성방법을 적용한 Ceria Slurry 개발
o 300mm 웨이퍼용 초박형 다층 수직구조 적층형 Chip to Wafer bonding용 Non Conductive film 및 공정개발

최종목표
o 총괄 : 20나노 이하급 고집적반도체 제조에 사용되는 EUV Blank Mask용 흡수체, CMP용 Wet Ceria Slurry, TSV용 NCF 기술개발 협력 및 지원

핵심기술
o 극자외선 리소그래피 블랭크 마스크용 흡수체 개발
o 20nm 이하급 반도체 공정에 사용되는 20nm 이하의 초임계 합성방법을 적용한 Ceria Slurry 개발
o 300mm 웨이퍼용 초박형 다층 수직구조 적층형 Chip to Wafer bonding용 Non Conductive film 및 공정개발

최종목표
o 총괄 : 20나노 이하급 고집적반도체 제조에 사용되는 EUV Blank Mask용 흡수체, CMP용 Wet Ceria Slurry, TSV용 NCF 기술개발 협력 및 지원
o 1세부 : 1xnm이하 패턴구현이 가능한 EUV Blank Mask용 흡수체 개발
o 2세부 : 20nm이하 차세대 CMP 공정용 wet 세리아 슬러리 기술 개발
o 3세부 : TSV 3D IC 적층 패키지용 비전도성필름(NCF) 개발

개발내용 및 결과
o EUV Blank Mask용 흡수체
- 고명암비 EUV Mask 신소재 개발
- EUV 반사도 1.0%이하 흡수체 물질 개발
- 70nm이하 두께의 EUV 마스크용 흡수체 평가
- 해상력 향상 효과 시뮬레이션 검증
- 흡수체 두께 균일도 평가

o CMP 공정용 Wet Ceria Slurry
- 침전법을 이용한 Wet 세리아 합성 기술 개발
- 입자 사이즈 제어 기술 개발
- 세리아 입자 분포 제어를 위한 합성기술 및 반응 기술 개발
- 세리아 입자의 분산 기술 개발

o TSV용 NCF Film
- 300mm웨이퍼용 초박형 다층 수직구조형 Chip to Wafer bonding, Gang bonding용 Non conductive film 및 공정 개발
- Lamination Process ․No Void / No Peel-off / No Wrinkle / No Bump Damage
- Thermo Compression bonding ․No Joint Trap (Filler) / No Void / No Overflow (over chip top) / Transparency (Align Mark 인식율 80%)
- Dicing Process ․No Peel-off / No Burr / Transparency (Align Mark 인식율 80%)

기술개발 배경
o 반도체 및 여타 IT 관련 산업 발전의 기반인 소재산업의 중요성 확대
- 미세화, 대구경화, 적층기술의 발전에 따른 新장비, 新물질 개발여 부가 반도체 산업의 승패를 좌우하는 주요 열쇠로 그 중요성이 점차 확대되고 있음
- 기존에는 旣 개발된 기술 및 제품을 활용하여 IT시장을 주도하였으나, 이제는 기술 선도자로의 패러다임이 변화
- 기술의 범용성 및 파급효과가 큼
- 반도체 소재산업은 신수종 산업 (디스플레이, 태양전지, LED, 센서 등)으로의 기술파급효과가 크며, 생산시설 공동활용 등의 장점이 있음

o 안정된 수급 확보가 요구
- 국내 산업용 대부분의 핵심소재는 해외 의존도가 높고, 기술 이전 등을 통한 생산이 많아 수요기업의 공정변경 또는 소재의 변경 시 대응이 어려우며, 수급 불안정으로 사업경쟁력 약화 우려
- 국제 원자재 가격에 연동되어 재료비 압박으로 작용
- 최첨단 기술집약 소재개발을 통한 적기의 신기술 도입 필요

핵심개발 기술의 의의
o 반도체 소재의 국내 기술을 적용한 국산화를 통해 국내 소재산업 기술발전 및 반도체 산업의 기술발전과 해외기업이 선점하고 있는 소재 시장에 국산 제품의 진입으로 수입대체 및 수출 효과 기대
o 반도체 소자 및 장비산업의 기술발전 시너지 효과 창출 가능

적용 분야
o 반도체 소자 생산을 위한 Litho 공정
o 반도체 전공정 과정인 CMP 공정
o 반도체 Package TC Bonding 공정
o 디스플레이, LED 산업에 활용 가능

(출처 : 최종보고서 초록 4p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 7
• 목차 ... 10
• 제 1 장 서론 ... 11
• 제 1 절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 11
• 1. 반도체 소재의 개발 필요성 ... 11
• 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과 ... 36
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 36
• 1. 최종 목표 ... 36
• 2. 평가방법 ... 39
• 제 2 절 연차별 개발내용 및 개발 범위 ... 41
• 제 3 절 수행 결과의 보안등급 ... 47
• 제 4 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 47
• 제 3 장 결과 및 사업화 계획 ... 48
• 제 1 절 연차 연구개발 결과 ... 48
• 1. 연차별 연구개발 일정 ... 48
• 2. 주요결과 ... 49
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 76
• 제 3 절 시장현황 및 사업화 전망 ... 77
• 제 4 절 고용 창출 효과 ... 80
• 제 5 절 자체보안관리진단표 ... 81
• 끝페이지 ... 82