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Kafe 바로가기주관연구기관 | 삼성전자 Samsung Electronics Co., Ltd. |
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연구책임자 | 강상범 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-04 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800039481 |
과제고유번호 | 1711022581 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-11-03 |
키워드 | FinFET 로직 소자.FinFET 로직 공정.컴팩트 모델링.SRAM 설계.PDK. |
핵심기술
3D FinFET향 Gate stack, contact, stress engineering 기술, 소자의 신뢰성 및 전기적 특성 측정 기술, 3D FinFET integration 기술, FinFET 소자 PDK 및 모델링 기술
최종목표
○ 22nm급 이하 차세대 파운드리 소자 및 PDK 개발
○ End Product : 22nm급 이하 파운드리 소자, 22nm급 이하 파운드리 PDK
개발내용 및 결과
22nm급 이하 소자의 핵심 요소 모듈 공정인 ALD metal gate 및
핵심기술
3D FinFET향 Gate stack, contact, stress engineering 기술, 소자의 신뢰성 및 전기적 특성 측정 기술, 3D FinFET integration 기술, FinFET 소자 PDK 및 모델링 기술
최종목표
○ 22nm급 이하 차세대 파운드리 소자 및 PDK 개발
○ End Product : 22nm급 이하 파운드리 소자, 22nm급 이하 파운드리 PDK
개발내용 및 결과
22nm급 이하 소자의 핵심 요소 모듈 공정인 ALD metal gate 및 Silicide, Work function engineering 기술, Contact 기술, FinFET에서의 스트레인 기술을 포함한 소자 성능 향상 기술 등을 개발하였으며, FinFET 소자의 전기적 특성 및 신뢰성 측정기술을 개발하였음. 또한 차세대 저전력 TFET 신소자를 개발하였음. 이들 핵심 기술을 기초하여 22nm급 이하의 FinFET Integration 기반 기술을 확보하여, FinFET 소자 개발에 성공하는 근간이 되었음. 또한, 22nm급 이하 FinFET 소자 설계에 사용 가능한 PDK, 압축모델(Compact model) 및 SRAM 설계/평가 기술을 확보하였음.
기술개발 배경
차세대 파운드리 제품의 직접도와 소자 성능 향상을 위해 기존 평면 (Planar) 소자에서 3D FinFET 소자로의 진화가 요구되었으며, 파운드리 경쟁력 확보를 위해 FinFET 관련 핵심 기술 개발이 절실하였음.
핵심개발 기술의 의의
본 과제를 통해 확보한 FinFET 소자 관련 핵심 요소 공정, 특성 평가, PDK 및 모델링 기술을 통해 차세대 파운드리 제품 경쟁력 유지할 수 있는 토대를 마련하였음.
적용 분야
22nm급 이하 차세대 로직 파운드리 제품에 기여할 수 있는 기술임.
(출처 : 개발결과 요약 4P)
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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