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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)옵토웰 |
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연구책임자 | 장호진 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-09 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800039600 |
과제고유번호 | 1711025669 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-11-24 |
키워드 | 고출력 레이저.레이저 다이오드.에피 웨이퍼.단면열화.고반사/무반사 코팅.Chip on submount 패키지.광전변환효율. |
핵심기술
1. 고품질의 고출력 레이저 다이오드 에피웨이퍼 성장 기술
2. 고출력 레이저 다이오드 칩공정 기술, 벽개면 보호막 코팅 및 고반사/무반사 코팅 기술, COD 향상 기술
3. 효율적 열방출 위한 AlN submount 제작 및 플립칩 본딩 CoS 패키지 기술개발
최종목표
고출력 펌핑용 반도체 레이저 칩 개발
- Aperture : 95 ㎛
- 피크 출력 : CW 20 W
- 피크 에너지 변환 효율 : ≥ 60 %
- 발진 파장 : 960 ㎚ ± 5 ㎚, 975 ㎚ ±
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