초록 ▼

핵심기술
○ 저수소 함유 비정질 실리콘 증착 공정 기술
○ 실시간 결정화 열처리 공정 기술

최종목표
탈수소 공정이 필요 없는 비정질 실리콘 증착 및 저비용 결정화 열처리 공정의 단일 챔버 저온 다결정 실리콘 박막 형성 기술 개발

개발내용 및 결과
○ 종래의 비정질 실리콘 증착, 탈수소, 결정화 열처리의 3가지 공정을 단일 챔버에서 일괄 처리할 수 있는 시스템을 개발함.
○ 비정질 실리콘 박막 내 수소함량이 3% 이내인 저수소 함유비정질 실리콘을 증착할 수 있는 공정을 개발함.

핵심기술
○ 저수소 함유 비정질 실리콘 증착 공정 기술
○ 실시간 결정화 열처리 공정 기술

최종목표
탈수소 공정이 필요 없는 비정질 실리콘 증착 및 저비용 결정화 열처리 공정의 단일 챔버 저온 다결정 실리콘 박막 형성 기술 개발

개발내용 및 결과
○ 종래의 비정질 실리콘 증착, 탈수소, 결정화 열처리의 3가지 공정을 단일 챔버에서 일괄 처리할 수 있는 시스템을 개발함.
○ 비정질 실리콘 박막 내 수소함량이 3% 이내인 저수소 함유비정질 실리콘을 증착할 수 있는 공정을 개발함.
○ 이와 더불어 결정화 레이저가 증착 시스템에 복합되어 증착과 동시에 실시간 결정화 공정을 진행할 수 있는 시스템 개발함.

기술개발 배경
○ 종래의 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조 공정 중에 탈수소 공정은 수 시간의 열처리 시간이 필요하여 많은 장비 투자가 요구됨.
○ 결정화 열처리 장비는 고출력의 엑시머 레이저가 사용되므로 높은 장비 투자비와 더불어 고가의 가스 비용, 광학계의 높은 유지보수 비용이 투입되어야 함.
○ 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 우수한 장점이 있음에도 불구하고 높은 장비 투자비와 높은 공정 단가가 문제점으로 지적되고 있음.
○ 이에 현재의 고비용 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문제점을 해결하기 위하여 다양한 기술 개발이 시도되고 있음.

핵심개발 기술의 의의
○ 종래의 3가지 저온 다결정 박막 트랜지스터 공정을 단일 시스템으로 일괄 구현함으로써, 공정 시간 단축, 장비 투자비 절감 및 생산성이 동시에 확보될 수 있음.
○ 종래 탈수소 열처리 시에 발생되는 유리 기판과 폴리이미드(PI) 층의 박리 문제가 원천적으로 해결될 수 있음.
○ 저출력 엑시머 레이저 광원을 이용하여 공정비용을 절감할 수 있음.

적용 분야
○ 저온 다결정 박막 트랜지스터가 적용된 고해상도 LCD, AMOLED TV, 플렉서블 AMOLED 등의 생산 단가 절감.
○ 고품위 유도 결합형 플라즈마 소스 모듈을 활용한 롤투롤 플렉서블 AMOLED 제조 설비 개발.
○ 비정질 및 미세결정질 태양전지에 확대 적용할 수 있음.

(출처 : 최종보고서 초록 4p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 6
• 목차 ... 10
• 제1장 서론 ... 11
• 제1절 과제의 개요 ... 11
• 제2장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 14
• 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ... 14
• 제2절 단계 목표 및 평가 방법 ... 18
• 제3절 개발 내용 및 개발 범위 ... 19
• 제4절 수행 결과의 보안등급 ... 33
• 제5절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리현황 ... 34
• 제3장 결과 ... 36
• 제1절 연구개발 최종 결과 ... 36
• 연구개발 추진 일정 ... 36
• 연구개발 추진 실적 ... 37
• 정량적 목표 대비 추진 실적 ... 120
• 제2절 연구개발 추진 체계 ... 121
• 각 기관/기업별 역할 및 추진 내역 ... 121
• 제3절 고용 창출 효과 ... 123
• 제4절 자체보안관리진단표 ... 124
• 제4장 사업화 계획 ... 130
• 제1절 시장 현황 및 전망 ... 130
• 제2절 사업화 계획 ... 135
• 제3절 향후 추가 기술 개발 계획(개발기술 응용 등) ... 136
• 끝페이지 ... 137