초록 ▼

핵심기술
◦ 열처리 공정의 확립
◦ 염소가스를 이용한 고순화
◦ 전기분해를 통한 고순화

최종목표
◦ 건식가스 기화에 의한 고순도 탄화규소 분말 및 핵심 생산기반기술 개발

개발내용 및 결과
◦ 저순도의 SiC Powder를 정제하여 고순도 SiC Powder 개발.
◦ 전기분해를 이용하여 양이온과 음이온을 만들어 고온진공 방식으로 불순물을 제거함
◦ 고온진공, 불활성가스 사용, 전기분해 등을 이용하여 연구를 진행함

기술개발 배경
◦ 탄화규소는 내식성과 내

핵심기술
◦ 열처리 공정의 확립
◦ 염소가스를 이용한 고순화
◦ 전기분해를 통한 고순화

최종목표
◦ 건식가스 기화에 의한 고순도 탄화규소 분말 및 핵심 생산기반기술 개발

개발내용 및 결과
◦ 저순도의 SiC Powder를 정제하여 고순도 SiC Powder 개발.
◦ 전기분해를 이용하여 양이온과 음이온을 만들어 고온진공 방식으로 불순물을 제거함
◦ 고온진공, 불활성가스 사용, 전기분해 등을 이용하여 연구를 진행함

기술개발 배경
◦ 탄화규소는 내식성과 내마모성이 우수하기에 반도체 지그, 전력반도체, 항공기, 국방용 방탄제 등으로 많이 사용하고 있음

◦반도체 공정 및 초정밀 공정용 SiC의 수요가 늘고 있고 이러한 공정에는 고순도 SiC Powder가 요구되기에 본 공정의 개발이 필요함

◦ 세일정기
(주)에서는 수입된 저순도의 SiC에서 고순도의 SiC Powder를 개발하기 위하여 연구를 진행하였음

핵심개발 기술의 의의
◦ 고순도의 SiC Powder는 Carbonthermal reduction에 의하여 제조되는데 고가의 생산비용으로 인하여 양산비용이 많이 올라감
◦ 이에 본사에서는 Acheson law에 의해 제조된 저순도(1N급)의 SiC Powder에 공정을 추가하여 고순도 파우더를 만듬.
◦ 연구소에서는 고순화 공정 연구를 하여 고순도의 SiC Powder를 개발함.
◦ 고순도로 갈수록 개발난이도는 높아지지만, 고가의 비용이 들어가지 않고 생산이 가능하게 되었음.
◦ 본 연구를 통하여 저비용으로 고순도의 SiC Powder를 만들 수 있다는 것이 핵심기술임
◦ 생산을 할 수 있는 연구가 진행되었고 생산설비 후 기술 수출도 가능할 것으로 예측됨

적용 분야
본 사업을 통하여 얻어진 고순도 파우더로 SiC Susceptor을 생산할 수 있는 것을 확인하였으며 차 후 진공로에 쓰이는 재료, 반도체 Jig, 방탄용 SiC Plate 등에 사용이 가능할 것으로 예측됨

(출처 : 최종보고서 초록 4p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 6
• 목차 ... 9
• 제 1 장 서 론 ... 10
• 제 1 절 과제의 개요 ... 10
• 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 42
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 42
• 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 43
• 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 47
• 제 4 절 수행 결과의 보안등급 ... 47
• 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리 현황 ... 48
• 제 3 장 결과 ... 49
• 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 49
• 1. 연구개발 추진 일정 ... 49
• 2. 연구개발 추진 실적 ... 50
• 3. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 전체를 기재 ... 99
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 100
• 1. 각 기관/기업별 역할 및 추진 내역 ... 100
• 2. 기술개발팀 편성도 ... 101
• 제 3 절 고용 창출 효과 ... 101
• 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 102
• 제 4 장 사업화 계획 ... 103
• 제 1 절 시장 현황 및 전망 ... 103
• 제 2 절 사업화 계획 ... 104
• 1. 생산 계획 ... 104
• 2. 투자 계획 ... 104
• 3. 사업화 전략 ... 105
• 제 3 절 향후 추가 기술 개발 계획(개발기술 응용 등) ... 107
• 끝페이지 ... 108