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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술원 Ulsan National Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 박기복 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-06 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201900021418 |
과제고유번호 | 1711090276 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-05-16 |
키워드 | 그래핀.불소화.양자점 접촉.수평방향 터널접합.양자수송.반응성 이온 식각.강유전체 메모리.비파괴적 읽기 방식.3차원 적층형 메모리. |
□ 연구개요
본 연구는 그래핀 표면을 선택적으로 불소화(Fluorination)하여 Fluorinated-Graphene 절연막을 형성함으로써 Graphene Nano-Channel과 Lateral Graphene/Fluorinated-Graphene/Graphene (G/FG/G) 터널 접합을 별도의 Etching 공정과 절연막 증착 없이 제작하는 실험적 방법을 개발하고 제작된 양자소자들의 전하수송자 수송 특성에 대한 정밀 측정을 수행하는 것을 목적으로 한다. 아울러, 강유전체박막 상에 형성된 G/FG/G 터널 접합 소자를
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