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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 홍성민 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-06 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900021708 |
과제고유번호 | 1345282713 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-05-23 |
키워드 | 반도체.전력 반도체 소자.갈륨질화물.산화갈륨.소자 시뮬레이션.멀티서브밴드 시뮬레이션.제1원리 계산. |
□ 연구개요
최종연구목표: GaN 및 Ga2O3 기반 트랜지스터에 특화된 고성능 소자 시뮬레이터를 독자적으로 개발하여 Ga 화합물 기반 트랜지스터 시뮬레이션의 정확성을 획기적으로 향상시키고 다양한 소자들에 대한 시뮬레이션을 수행함.
연구내용: 1년의 연구기간 동안 다음의 연구를 진행함.
GaN 트랜지스터를 위한 멀티서브밴드 시뮬레이터의 DC 및 과도 응답 모듈 개발
자체 제작한 제1원리 계산 코드를 통해 얻은 밴드 구조로부터 Ga2O3의 물성 파라미터 추출
전력 반도체 소자의 높은 인가 전압을 다룰 수 있
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