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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
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연구책임자 | 이승현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000004163 |
과제고유번호 | 1711087597 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 질화갈륨.전력반도체.고전자이동도 트랜지스터.열전달계수.2차원 나노소재.육방정계 질화붕소.이방성 열전달.GaN.HEMT.h-BN. |
□ 연구개요
본 연구는 2차원 나노소재의 이방성 열전도 특성을 이용하여 계면의 효율적인 열전달을 통해 질화갈륨 고전자이동도 트랜지스터 (GaN HEMT) 전력반도체 소자의 신뢰성 향상을 최종 목표로 한다. 실리콘 기술이 물성의 이론적 한계에 다다르고 있는 현 시점에서 질화갈륨 (GaN)은 차세대 전력반도체재료로 각광받고 있다. 이 때, GaN 소자는 고전력 소자이므로 동작 시 발생하는 열에 방해 받지 않도록 고온 동작이 매우 중요하다. 본 연구에 사용된 2차원 나노소재는 효율적인 계면 열전달을 유도함과 동시에, 매우 얇은 절연
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