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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경북대학교 KyungPook National University |
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연구책임자 | 김대현 |
참여연구자 | Hideaki Matsuzaki , Jan Grahn |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-02 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100008624 |
과제고유번호 | 1711103160 |
사업명 | 글로벌핵심인재양성지원(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-09-18 |
키워드 | 초고속.초절전.전자소자.High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT).Low-Noise-Amplifier (LNA). |
□ 과제목표
◦ InAs 채널을 가지는 에피 구조를 개발 및 활용하여 100nm 급 게이트 길이를 가지는 InP HEM의 개발과 예상되는 우수한 동작 특성으로 통하여 최종적으로는 양자암호 시스템 및 차세대 통신용 극저온/초저전력 저잡음 증폭기용 능동소자인 초고속/초절전 HEMT 및 초고주파 저잡음 증폭기를 개발 하고자 한다. 구체적으로는 MOCVD를 이용한 선택적 Raised S/D 및 소자 집적화 기술을 통하여 소자의 기생 저항 성분인 Ron을 최소화 하여 낮은 동작전압(VDD)에서도
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