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NTIS 바로가기주관연구기관 | 영남대학교 YeungNam University |
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연구책임자 | 신재철 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000004154 |
과제고유번호 | 1711089718 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 화학기상증착장치.나노와이어.트렌지스터.실리콘.III-V. |
□ 연구개요
반도체 전자소자의 크기가 지속적으로 작아짐에 따라서 기존 평면구조의 메탈-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFETs)의 경우 채널효과(short-channel effects), 누설전류 (off-state current)의 증가 및 소비 전력의 증가라는 문제점이 부각되고 있다. 따라서 본 연구과제에서는 전자의 이동속도가 높고 이차원적으로 구속되어 있는 고품위의 III-V 나노와이어 소재를 이용하여 초저전력 고성능의 전자소자 소재를 개발하는 것이다. 이때 가격경쟁력을 위해 III-V 나노와이어는 metal-o
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