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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 유현용 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100000628 |
과제고유번호 | 1711084309 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-06-05 |
키워드 | 차세대 반도체.벌크형 반도체.2차원 반도체.M-I-S 구조.전도성 필라멘트.쇼트키 장벽. |
○ 연구개요
차세대 반도체 소자 개발 과정에서 크기 소형화가 진행됨에 따라 금속 컨택 저항이 전체 소자 저항에서 차지하는 비중이 매우 커져 소자 성능 개선을 방해하는 중요한 요소로 작용하고 있음. 이에 본 연구는 소자의 높은 컨택 저항 문제를 해결하기 위한 새로운 컨택 형성 기술 개발을 목표로 하며, 비합금형 초저저항 컨택 기술로 금속-중간층-반도체 (metal-interlayer-semiconductor, M-I-S) 구조를 개발함. 특히, 초저저항을 달성하기 위해 중간층의 저항을 획기적으로 낮출 수 있는 새로운 기술로 저항
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