초록 ▼

최종목표
a. Zener Diode 내장된 RCIGBT 개발
- 200V, 50A의 Discrete RCIGBT 개발
- Main Device 영역 두께(Field Stop 영역 포함 20um)
- 고농도의 Collector 영역과 Drain(Anode) 영역의 두께를 합한 전체 소자 두께 (<30um)
- SEM 분석
- DC 및 AC 측정(VCES VGE, Ic, If, Trr, Qgd 등)
b. Application for 개발 제품
- 48V~72V, 600Watt급 Motor 구동

최종목표
a. Zener Diode 내장된 RCIGBT 개발
- 200V, 50A의 Discrete RCIGBT 개발
- Main Device 영역 두께(Field Stop 영역 포함 20um)
- 고농도의 Collector 영역과 Drain(Anode) 영역의 두께를 합한 전체 소자 두께 (<30um)
- SEM 분석
- DC 및 AC 측정(VCES VGE, Ic, If, Trr, Qgd 등)
b. Application for 개발 제품
- 48V~72V, 600Watt급 Motor 구동 평가.
- TO-247 또는 TO-220 Package

개발내용 및 결과
a. 외부 정전기 및 회로상 역기전력에 따른 소자 보호를 위한 에미터와 게이터 사이에 양방향 제너 Diode와 Free Wheeling Diode, IGBT 소자를 탑재하는 MDOC(Multi Device One Chip) 소자설계
b. VBR(CES) 200V 이상, Ic=50A의 특성을 가지는 RC-IGBT 공정설계, 제작 및 평가

기술개발배경
a. 48V 전원을 사용하는 전기 자동차 및 하이브리드 자동차의 바디 부분 모터 구동용 전력 소자 개발에 따른 국산화를 통해 수입 대체 효과
b. 200V급의 유일한 RCIGBT 제품을 개발하게 48V 전원을 사용하는 경우 과도한 Over Spec.을 줄여 원가 손실을 최소화 할 수 있음.

핵심개발기술의 의의
a. 고농도의 다른 두종류의 불순물 영역인 Anode 표면의 SDB 불량의 원인 분석 및 해결 방안 확보
b. 제1 Handling wafer의 제거를 위한 제2 Handling wafer의 film 부착 후 발생되는 기포의 제거 방법 및 장치의 사용으로 RCIGBT의 전면부 Metal을 보호하고 wafer의 파괴를 방지
c. Dry Etch시 He Cooling에 따른 제2 Handling Wafer의 구조 개선 방안확보
d. Package시 Ultra thin Wafer의 sawing 및 Die attache시 발생되는 Ultra thin Chip의 Broken 발생 문제 해결 방안 확보
e. Process wafer에 Film을 부착하기 위한 방안 확보 및 장치개발 방향 확보,
f. Film이 부착된 Process wafer에 제2 Handling wafer를 부착하기 위한 장치의 요구에 따른 개념 확보 .

적용분야
a. 자동차 Motor Driver용 Power Device,
b. 자동차 회사와 공동 개발 시 자동차용 Inverter.
c. Auto Motor/Cycle의 Driver용 Power Device
d. 200V~3300V 범위의 RCIGBT 기술에 적용
e. 600V급 : 가전용 Inverter로 세탁기, 냉장고, 에어콘 등
f. 1200V급 : IH(Induction Heater)

(출처 : 초록 4p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제출문 ... 2
• 초록 ... 3
• 기술개발사업 주요 연구성과 ... 8
• 국문 요약문 ... 12
• 목차 ... 13
• 표목차 ... 15
• 그림목차 ... 15
• 제 1 장 서론 ... 16
• 제 1 절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 16
• 제 2 절 국내‧외 관련 기술 및 시장의 현황 ... 19
• 1. 국내 기술동향 및 수준 ... 19
• 2. 국외 기술동향 및 수준 ... 21
• 3. 국내외 시장현황 ... 23
• 4. 국내외 기업동향 ... 24
• 제 3 절 기술개발 시 예상되는 기술적‧경제적 파급효과 ... 28
• 1. 기술적 측면 ... 28
• 2. 경제적 측면 ... 28
• 제 2 장 기술개발 내용 및 방법 ... 29
• 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 29
• 1. 최종목표 ... 29
• 2. 평가방법 ... 30
• 제 2 절 연차별 개발 내용 및 개발범위 ... 34
• 1. 주관기관 : ㈜인터벡스테크놀러지 ... 34
• 2. 참여기관 : 한국전자통신연구원 ... 34
• 제 3 장 결과 및 향후계획 ... 36
• 제 1 절 연구개발 결과 ... 36
• 1. 연차 연구개발 추진 일정 ... 36
• 2. 연차 연구개발 추진 실적 ... 37
• 3. 기술개발 결과 ... 50
• 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 60
• 1. 기술개발 추진체계 ... 60
• 2. 각 기관/기업별 역할 및 추진내역 ... 60
• 제 3 절 시장현황 및 사업화 전망 ... 61
• 제 4 절 사업비 사용현황 ... 62
• 1. 비목별 총괄표 ... 62
• 2. 참여연구원 ... 63
• 3. 위탁 및 용역과제 ... 63
• 제 5 절 연구개발결과의 활용계획 ... 64
• 별첨2. 자체보안관리진단표 ... 65
• 별첨3. 시제품 제작 런 쉬트(B/L 공정 및 IGBT 제작) ... 67
• 별첨4. IGBT Dynamic Characteristic (동 특성) 측정 결과 ... 75
• 별첨5. 2017 한국자동차공학회 춘계학술대회 발표 논문 ... 81
• 끝페이지 ... 82