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연합인증

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에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 개발
Development of 650V/20A SiC Diode Using Edge Termination Improvement 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 광전자
연구책임자 강남주
참여연구자 노태문
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2017-07
과제시작연도 2016
주관부처 미래창조과학부
Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호 TRKO202100006692
과제고유번호 1711042553
사업명 ICT유망기술개발지원
DB 구축일자 2021-07-17
키워드 전력반도체.실리콘카바이드.다이오드.저항성 접촉.쇼트키 접촉.패키지.Power Semiconductor.SiC.Diode.Ohmic Contact.Schottky Contact.Package.

초록 ▼

최종목표
o 에지종단 향상기술을 적용한 6인치 SiC 기반 650V/20A급 다이오드 개발
- SiC 다이오드의 에지종단 향상기술 및 핵심 공정기술 개발
- 650V/20A급 SiC 다이오드 설계 및 제작
- SiC 다이오드 패키징 및 특성평가

개발내용 및 결과
o SiC 다이오드의 에지종단 향상기술 및 핵심 공정기술 개발
- 650V SiC 다이오드 에지종단 향상기술 개발
- PN 접합 형성 공정기술 개발
- Ohmic/Schottky 접촉 형성기술 개발
o 650V/2

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 초록 ... 3
  • 기술개발사업 주요 연구성과 ... 7
  • 국문 요약문 ... 12
  • 목차 ... 14
  • 표목차 ... 16
  • 그림목차 ... 17
  • 제 1 장 서론 ... 19
  • 제 1 절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 19
  • 1. 개발 대상 기술 · 제품의 개요 ... 19
  • 2. 개발 대상 기술 · 제품의 중요성 및 필요성 ... 20
  • 제 2 절 국내·외 관련 기술 및 시장의 현황 ... 21
  • 1. 국내·외 기술 현황 ... 21
  • 2. 국내·외 시장 현황 ... 22
  • 제 3 절 기술개발 시 예상되는 기술적·경제적 파급효과 ... 24
  • 1. 기술적 파급효과 ... 24
  • 2. 경제적 파급효과 ... 24
  • 제 2 장 기술개발 내용 및 방법 ... 25
  • 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 25
  • 1. 최종 목표 ... 25
  • 2. 개발기술의 평가 방법 및 평가 항목 ... 26
  • 3. 정량적 목표 항목의 평가 방법 및 평가 환경 ... 27
  • 4. 정량적 성과 목표 (목표치/달성치) ... 28
  • 제 2 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 29
  • 1. 1차년도 ... 29
  • 제 3 장 결과 및 향후 계획 ... 30
  • 제 1 절 연구개발 결과 ... 30
  • 1. 연차 연구개발 추진 일정 ... 30
  • 2. 연차 연구개발 추진 실적 ... 31
  • 3. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과 ... 34
  • 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 64
  • 1. 각 기관별 역할 및 추진 체계 ... 64
  • 제 3 절 시장현황 및 사업화 전망 ... 65
  • 1. 시장현황 및 사업화 ... 65
  • 제 4 절 사업비 사용현황 ... 66
  • 1. 비목별 총괄표 ... 66
  • 2. 참여연구원 ... 67
  • 3. 위탁 및 용역과제 ... 67
  • 제 5 절 연구개발결과의 활용계획 ... 68
  • 별첨2. 자체보안관리진단표 ... 69
  • 끝페이지 ... 70

표/그림 (43)

참고문헌 (25)

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