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NTIS 바로가기주관연구기관 | 극동대학교 |
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연구책임자 | 강이구 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-06 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202100014347 |
과제고유번호 | 1345313573 |
사업명 | 이공학학술연구기반구축(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-09-25 |
키워드 | 전력반도체.Ga2O3.Normally off.Schottky Barrier Diode.MOSFET. |
□ 연구개요
Normally off Ga2O3 기반의 전력반도체 설계 및 제작기술 연구
1차년도에 Ga2O3 기반(에피성장, 접합기술등) 연구를 기초로 하여 2차년도에는 Ga2O3 전력 SBD(Schottky Barrier Diode)의 설계 및 제작을 통해 전력소자의 가능성을 확인할 것이며, 마지막 3차년도에는 Ga2O3 기반의 Normally off 전력 MOSF
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