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NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
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연구책임자 | 김형탁 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-07 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100020505 |
과제고유번호 | 1711097036 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-04-02 |
키워드 | 질화갈륨.전력반도체.이종접합.p형게이트.쇼트키접합.전계.열화.신뢰성. |
□ 연구개요
◦높은 농도의 p-GaN으로 인하여 Schottky계면에서의 전계는 매우 커지며 이를 완화하면서 높은 문턱전압은 유지할 수 있는 acceptor 농도분포의 최적화에 대한 연구를 진행함.
◦GaN 반도체는 소재의 우수한 내성으로 인하여 기존 가속열화시험에서 고장판정의 어려움이 있고 보다 고온에서 열화시험이 진행되어 실제 동작환경 대비 과도한 가혹환경이 유발하는 random failure로 인하여 소자의 intrinsic failure 감지의 난이도가 높아지므로 보다 정확한 소자채널온도 측정기법을 적용하여 오류를
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