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NTIS 바로가기주관연구기관 | LG이노텍(주) |
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연구책임자 | 권일근 |
참여연구자 | 김병숙 , 안병수 , 전명철 , 하서용 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-05 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200006198 |
과제고유번호 | 1415161653 |
사업명 | 소재부품기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-13 |
키워드 | 초고순도 테트라 에틸 실리케이트.초고순도 탄화규소 분말.합성.정제.입자 성장.소결.강도.반응소결 SiC.단결정성장.웨이퍼가공.전위결함 농도.동공결함농도.표면거칠기.물리기상전달법.에피 웨이퍼.전력 소자.표준 소자.신뢰성.소재 평가 스펙.쇼트키 베리어 다이오드.기저전위밀도.전도도.균일도.성장로.화학기상증착법.2차원 성장. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
○ 6N5 초고순도 SiC 분말 기술 개발
○ 5N급, 600㎜ 크기 초고순도 다결정 탄화규소의 구현
○ 150㎜급 LED/LD, 에너지 반도체용 SiC 단결정 웨이퍼 개발
○ 150㎜급 에너지반도체 소자용 고품질 에피박막 소재 개발
□ 개발내용 및 결과
○ 6N급 초고순도 SiC 분말 기술 개발
- 초고순도 SiC 분말(미립): 1,700℃ 전후 C계 및 Si계 원료의 열탄소환원 반응을 통해 6N3급 초고순도 SiC 분말 합성
- 초고순도 Si
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