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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 이형석 |
참여연구자 | 윤광수 , 김종현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-06 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200006979 |
과제고유번호 | 1415158591 |
사업명 | 산업현장핵심기술수시개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-27 |
키워드 | 질화갈륨.수직형 전력소자.에피성장.질화갈륨 기판.결함분석. |
3. 개발결과 요약
최종목표
o GaN 기판 기술 및 평가 기술 개발
- GaN 기판 결함밀도 : ≤ 5×106 /cm2
- GaN 기판 도핑농도 : ≥ 1×1018 /cm3
o GaN 에피 원천기술 개발 (1종)
- GaN 에피 도핑 농도: ≤ 2×1016 /cm3
- GaN 에피 결정성(XRD 반치폭) (002/102):≤(150/200)
- GaN 에피 균일도:
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