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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 안지훈 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200013565 |
과제고유번호 | 1711143148 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-19 |
키워드 | 커패시터.유전체.강유전체.계면처리.원자층증착법.Capacitor.Dielectric.Ferroelectric.Interface treatemtn.Atomic layer deposition. |
□ 연구개요
본 과제의 최종목표는 반도체 산업적으로 활용도가 매우 높은 TiN 전극 기반의 MIM capacitor에서의 metal-insulator 사이의 계면 처리 기술 개발 및 이에 따른 dielectric/ferroelectric 특성 변화에 대한 연구를 체계적으로 수행하여 궁극적으로는 차세대 반도체 소자의 핵심 부품의 성능을 향상시키는데 있다. 이를 위하여, ①TiN-ZrO2 계면에 ultra-thin mid-gap layer 삽입 및 treatment을 통한 dielectric 특성향상 연구, ②
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