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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술원 Ulsan National Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 윤태식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300009136 |
과제고유번호 | 1711166914 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-04 |
키워드 | 문턱스위칭.급경사 전계효과 트랜지스터.산화물 스위칭 박막.산화물 반도체 박막트랜지스터.threshold switching.steep-slope field-effect transistor.oxide switching thin film.oxide semiconductor thin-film transistor. |
□ 연구개요
∎ 본 연구는 산화물 박막의 구조, 조성, 전극재료와의 상호작용을 제어하여 저전압에서는 부도체에서 고전압에서는 전도체로 휘발적인 전이 특성을 보이는 threshold 스위칭 재료를 연구함.
∎ FET 소자에서 높은 동작전류와 낮은 누설전류 특성을 확보하고, 급격한 드레인 전류 변화를 구현하기 위해서 threshold switching 소자와 FET 소자를 접목하여 threshold 스위칭 기반의 steep-slope FET 특성을 연구함.
□ 연구 목표대비 연구결과
∎ 본 연구에서는 는 산화
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