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NTIS 바로가기주관연구기관 | 다온(주) |
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연구책임자 | 손재일 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-08 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국산업기술진흥협회 Korea Industrial Technology Association |
등록번호 | TRKO202300029168 |
과제고유번호 | 1711121993 |
사업명 | 고용위기기업부설연구소R&D전문인력활용지원 |
DB 구축일자 | 2024-06-11 |
키워드 | 플라즈마.에칭.가속전압.식각.Ion-Source.Plasma.Eching. |
□ 연구개발 목표 및 내용
○ 최종 목표
● 최대 8인치 웨이퍼의 식각 균일도를 ±5% 이내 확보
● 기 개발된 이온빔 소스의 플라즈마 밀도를 집속전류밀도 10% 이상확보
● 초당 20nm의 식각율로 3분 이내의 이온빔 방출이 통상적인 이온빔 소스의 사용조건 이지만, 본 개발에서는 최대 30분 이상 안정적으로 이온빔의 연속방출이 가능한 이온빔 소스의 개발
● RF매칭네트워크의 물리적인 크기를 기존 경쟁제품 대비 80%이하로 축소
● 경쟁제품 대비 80% 이하의 판매가격을 위한 원가경쟁력 확보
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