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High-K 반도체 precursor용 착화합물 합성 및 고순도 정제 기술 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 엘에스켐
연구책임자 손균호
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2021-08
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202300029344
과제고유번호 1711122191
사업명 고용위기기업부설연구소R&D전문인력활용지원
DB 구축일자 2024-06-18
키워드 금속 착화합물.티타늄.하프늄.전구체.메탈정제.metal Precursor.Titanium.Hafnium.Precursor.Distillation.

초록 ▼

□연구개발 목표 및 내용
❍ 최종 목표
반도체용 금속 착화합물 시제품 개발 및 합성, 정제 기술 확보

❍ 전체 내용
Trimetoxy(pentamethylcyclopentadienyl)titanium(IV) lkg(solution ) Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) lkg(solution) 각 2품목 합성 및 정제 기술 개발.
현재 각 10g scale 샘플을 SK 하이닉스 1차 업체에서 평가 중으로 수분 컨트롤 및 고순도 메탈 제거 정제 method 개발 진행 예정

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 요 약 문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 정도 ... 12
  • 1) 연구수행 결과 ... 12
  • 2) 목표 달성 수준 ... 15
  • 4. 목표 미달 시 원인분석 ... 15
  • 1) 목표 미달 원인(사유) 자체분석 내용 ... 15
  • 2) 자체 보완활동 ... 15
  • 3) 연구개발 과정의 성실성 ... 15
  • 5. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도 ... 16
  • 6. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 16
  • 끝페이지 ... 17

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참고문헌 (25)

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