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반도체용 차세대 High-k 물질인 BST 박막 증착을 위한 Ti 선구물질의 물성 향상 연구 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 비엔아이테크
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2010-07
과제시작연도 2009
주관부처 중소기업청
Small and Medium Business Administration
등록번호 TRKO201200006206
과제고유번호 1425055207
사업명 창업보육기술개발(지경부에서 이관)
DB 구축일자 2013-05-20
키워드 고온 공정.선구물질.고유전물질.

초록 ▼

정보전자 차세대 소자 관련하여 고유전율 게이트 절연막, 저유전체막, 캐패시터 유전체막, 금속배선막, 확산방지막, 강유전체막 관련 각종 기능재료들이 화학증착법으로 만들어져 왔으며 다양한 화학전구체가 활용되어 왔다.
화학증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)은 사용하는 원료 기체의 구조나 표면 반응조건에 따라 다양한 물질을 증착시킬 수 있고 표면의 모양에 상관없이 고르게 증착시킬 수 있다. 원료 기체의 고유한 화학적 특성을 잘 조절하여 자기 정립 (self assembly)을 통해 반복 증착을 함으로써

목차 Contents

  • 제출문 ... 1
  • 목차 ... 2
  • 요약서(초록) ... 3
  • 제 1 장 개발 기술의 개요 ... 4
  • 제 1 절 개발기술의 필요성 ... 4
  • 제 2 절 국내·외 관련기술의 현황 ... 5
  • 제 2 장 개발목표 및 개발내용 ... 7
  • 제 1 절 기술개발 목표 ... 7
  • 제 2 절 세부계획 및 개발내용 ... 8
  • 1. Bidentate Ligand 도입 ... 8
  • 2. Bidentate Ligand 와 OR 리간드의 Mixed Ligand 도입 ... 12
  • 3. Cyclopentadiene (Cp) Ligand 도입 ... 13
  • 4. Ti(OR)₄형태의 1차 alcohol 선구물질의 열안정성 테스트 ... 20
  • 5. Ti(NR)(OR)₂형태의 imide 리간드의 도입 ... 22
  • 6. 결 론 ... 23
  • 제 3 장 성과요약 및 기대효과 ... 24
  • 제 1 절 성과 요약 ... 24
  • 제 2 절 기대 효과 ... 25

참고문헌 (25)

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