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본 논문은 p-형 실리콘 반도체와 전해질 접촉 계면에서 극소 전기영동 측정장치를 이용 제타전위를 측정한 후 접촉계면에 관한 정성적 해석을 하였다.
측정한 제타전위 극성은 KCl 0.1M용액만 제외하고 모두 양의 값이었다. KCl용액과 NaCl용액내에 p형 반도체의 전기영동 이동도의 범위는 각각 –3.8×10-4cm2 /V·sec~3.3×10-4cm2 /V·sec와 3.99×10-5cm2 /V·sec~5.1×10-4cm2 /V·sec이었다. 이에 상응하는 제타전위의 범위는 각각 –48.6mV~42.3mV와 5.1mV~65.3mV이었다. KCl용액 10-4M에서 최대 제타전위가, 반면 NaCl용액 10-5M에서는 최소 제타전위가 측정되었다.
제타전위를 이용하여 이 전위가 측정되는 전단면 까지의 거리를 Poisson-Boltzmann방정식으로 계산하였으며 표면에서 전단면까지의 거리가 수 십 Å에서 수 백 Å정도이었다. 또 이 전위를 사용하여 표면전하밀도를 계산했으며, 이 계산된 값은 ...

본 논문은 p-형 실리콘 반도체와 전해질 접촉 계면에서 극소 전기영동 측정장치를 이용 제타전위를 측정한 후 접촉계면에 관한 정성적 해석을 하였다.
측정한 제타전위 극성은 KCl 0.1M용액만 제외하고 모두 양의 값이었다. KCl용액과 NaCl용액내에 p형 반도체의 전기영동 이동도의 범위는 각각 –3.8×10-4cm2 /V·sec~3.3×10-4cm2 /V·sec와 3.99×10-5cm2 /V·sec~5.1×10-4cm2 /V·sec이었다. 이에 상응하는 제타전위의 범위는 각각 –48.6mV~42.3mV와 5.1mV~65.3mV이었다. KCl용액 10-4M에서 최대 제타전위가, 반면 NaCl용액 10-5M에서는 최소 제타전위가 측정되었다.
제타전위를 이용하여 이 전위가 측정되는 전단면 까지의 거리를 Poisson-Boltzmann방정식으로 계산하였으며 표면에서 전단면까지의 거리가 수 십 Å에서 수 백 Å정도이었다. 또 이 전위를 사용하여 표면전하밀도를 계산했으며, 이 계산된 값은 전기이중층을 정성적으로 해석하는데 편리했으며, 특히 표면전하밀도를 가지고 반도체의 표면전하량을 예측할 수 있었다.