최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기As, one of device feature, width is decreasing rapidly, the DRAM size is quadring during every two or three years. This enormous growth of DRAM technology be economically exploited unless cost-effective test algorithm are development to cover the various fault with ULSI DRAM. At this paper, a new al...
저자 | 온정근 |
---|---|
학위수여기관 | 全北大學校 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 電子工學科 |
발행연도 | 1992 |
총페이지 | 63장 |
키워드 | 초고집적 메모리 고속테스트 BIST DRAM |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T2597482&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.