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NTIS 바로가기100 nm 이하의 차세대 나노 MOSFETs 소자들 중 실리콘 웨이퍼 상에 구현된 바디-연결된 FinFETs이 유력한 미래 전자소자로 고려되고 있다. SOI 웨이퍼 상에 구현된 SOI FinFET보다 웨이퍼 가격이 저렴하고, 결함이 적으며, 기판으로의 열전달 특성이 우수하다. 본 연구의 바디-연결된 이중-게이트 FinFETs은 저렴하고 결함밀도가 적은 실리콘 벌크 웨이퍼에 구현되면서, SOI FinFETs과 동등한 소자 축소화 특성들을 보인다. 본 논문에서는 게이트 길이가 50 nm 이하인 바디-연결된 이중-게이트 FinFETs의 이차원/삼차원 ...
저자 | 최병길 |
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학위수여기관 | The Graduate School Kyungpook National University |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | Semiconductor Engineering |
발행연도 | 2004 |
총페이지 | 44p. |
키워드 | Threshold Voltage Characteristics Modeling Body Tied FinFETs |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10218600&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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