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NTIS 바로가기MATEC web of conferences, v.201, 2018년, pp.02009 -
Chen, Ying-Yu , Lin, Yu-Hsien , Wang, Cheng-Chi
In this study, we compare the differences and advantages between Bulk FinFET and SOI FinFET. The results are simulated by using the ISE TCAD software. By changing the parameters of the gate voltage, drain voltage and gate length to analysis which characteristic is better. Through the experiment resu...
10.1109/S3S.2014.7028186 Hook Terence B.; Allibert F.; Balakrishnan K.; Doris Bruce; Guo Dechao; Mavilla Narasimha; Nowak E.; Tsutsui G.; Southwick R.; Strane J.; Sun Xin, IEEE, 'SOI FinFET versus bulk FinFET for 10nm and below “ 2014 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Pages: 1-3, 2014
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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