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NTIS 바로가기The design, fabrication and performance of a vertical double diffused power MOSFET(VDMOS) are described. The substrate used is antimony (Sb) doped epitaxial wafer. The resistivity of the epitaxial layer is about 10 $\Omega$.cm and the thickness is about 20 $\mu$m. The channel length which is control...
저자 | Park, Chan-Kwang |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기 및 전자공학과 |
발행연도 | 1987 |
총페이지 | [ii], 49 p. |
키워드 | 웨이퍼 (IC) Breakdown voltage Epitaxy Semiconductor wafers MOSFET 전력 트랜지스터 Metal oxide semiconductor field-effect transistors Power transistors |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10518154&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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