최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기본 논문에서는 누설전력 소비뿐만 아니라 스위칭 전력 소비를 동시에 줄일 수 있는 새로운 저전력 SRAM 회로를 제안한다. 제안된 저전력 SRAM은 대기모드와 쓰기동작에서는 셀의 소스라인 전압을 V_(SSH)로 증가시키고 읽기동작에서만 소스라인 전압을 다시 V_(SS)가 되도록 동적으로 조절한다. SRAM 셀의 소스라인 전압을 동적으로 조절하면 reverse body-bias 효과, ...
A new SRAM circuit with row-by-row activation and low-swing write schemes is proposed to reduce switching power of active cells as well as leakage one of sleep cells in this paper. By driving source line of sleep cells by V_(SSH) which is higher than V_(SS), the leakage current can be reduced to 1/1...
저자 | 최훈대 |
---|---|
학위수여기관 | 국민대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 전자공학전공 |
발행연도 | 2006 |
총페이지 | v, 49 p. |
키워드 | 초미세 CMOS SoC SRAM회로 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10652775&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.