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소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM
A Low Power SRAM Using Elevated Source Level Memory Cells 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.8 = no.326, 2004년, pp.93 - 98  

양병도 (KAIST 전자전산학과) ,  김이섭 (KAIST 전자전산학과)

초록
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SRAM에서 쓰기 전력을 줄이기 위하여 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM을 제안하였다. 메모리 셀의 소스 전압을 GND에서 V/sub T/로 올리고 비트라인과 데이터버스의 프리차지 전압을 V/sub DD/에서 V/sub DD/-V/sub T/로 낮춤으로써 비트라인과 데이터버스의 스윙 전압을 줄였다. 이것은 면적의 증가와 속도 감소 없이 SRAM의 쓰기 전력을 크게 줄여준다. 8K×32비트의 SRAM이 0.25um CMOS 공정으로 제작되었다. 제작된 SRAM은 2.5V 전원과 300MHz 동작 주파수에서 쓰기 동작의 소모전력을 45% 줄였고, 최대 동작 주파수는 330MHz였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A low power SRAM using elevated source level memory cells is proposed to save the write power of SRAM. It reduces the swing voltages of the bit lines and data bus by elevating the source level of the memory cells from GND to $V_{T}$ and lowering the precharge level of the bit lines and d...

주제어

#VLSI   #CMOS   #SRAM   #low power   #and low swing  

참고문헌 (4)

  1. K. Itoh, K. Sasaki, and Y. Nakagome, 'Trends in low-power RAM circuit technologies,' Proc. IEEE, vol. 83, pp. 524-543, Apr. 1995 

    상세보기 crossref

  2. K. W. Mai, et. al., 'Low Power SRAM Design Using Half-Swing Pulse-Mode Techniques,' IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 33, pp. 1659-1671, Nov. 1998 

    상세보기 crossref

  3. H. Mizuno and T. Nagano, 'Driving source-line cell architecture for sub-1-V high-speed low-power applications,' IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31, pp. 552-557, Apr. 1996 

    상세보기 crossref

  4. S. Hattori and T. Sakurai, '90% Write Power Saving SRAM Using Sense-Amplifying Memory Cell,' Symp. on VLSI Circuits, pp. 46-47, 2002 

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