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한글초록:이 석사논문은 DC Reactive sputtering과 Pulsed Laser Deposition 방법으로 제작된 여러가지 산화물 박막과 산화물 파티클 등에서 볼 수 있는 다양한 특성에 대하여 조사하였다. 특히 다양한 특성중에서 RRAM에서 나타나는 전도성 스위칭 현상을 면밀히 관찰하고자 노력하였다. 실험 샘플들의 증착은 주로 Pt/Ti/SiO2/Si이라는 구조를 가진 기판위에 증착했는데, 기판에 가장 위에 있는 Pt층은 1000Å정도의 두께로써 전극의 역할을 담당하며, Ti층은 100Å의 두께로써 SiO2/Si기판 위에 Pt층을 adhesion을 높이기 위해 사용되었다. 기본적인 방법으로는 Pt/Ti/SiO2/Si의 구조를 가지는 Pt substrate를 하부전극으로 하여, 그 위에 여러종류의 Oxide 물질을 박막형태로 올리고, 다시 그 위에 shadow mask를 이용해 Pt를 100㎛의 지름을 가지는 원형 Top-electrode 형태로 올린다. 이러한 방법으로 산화물 박막을 상,하부 전극으로 샌드위치 구조화 시키며 상,하부 전극에 전기적 포텐셜을 가하여, 전류의 변화를 관찰하거나, 또는 특정한 포텐셜을 주기적으로 가하여주는 ...

한글초록:이 석사논문은 DC Reactive sputtering과 Pulsed Laser Deposition 방법으로 제작된 여러가지 산화물 박막과 산화물 파티클 등에서 볼 수 있는 다양한 특성에 대하여 조사하였다. 특히 다양한 특성중에서 RRAM에서 나타나는 전도성 스위칭 현상을 면밀히 관찰하고자 노력하였다. 실험 샘플들의 증착은 주로 Pt/Ti/SiO2/Si이라는 구조를 가진 기판위에 증착했는데, 기판에 가장 위에 있는 Pt층은 1000Å정도의 두께로써 전극의 역할을 담당하며, Ti층은 100Å의 두께로써 SiO2/Si기판 위에 Pt층을 adhesion을 높이기 위해 사용되었다. 기본적인 방법으로는 Pt/Ti/SiO2/Si의 구조를 가지는 Pt substrate를 하부전극으로 하여, 그 위에 여러종류의 Oxide 물질을 박막형태로 올리고, 다시 그 위에 shadow mask를 이용해 Pt를 100㎛의 지름을 가지는 원형 Top-electrode 형태로 올린다. 이러한 방법으로 산화물 박막을 상,하부 전극으로 샌드위치 구조화 시키며 상,하부 전극에 전기적 포텐셜을 가하여, 전류의 변화를 관찰하거나, 또는 특정한 포텐셜을 주기적으로 가하여주는 펄스 실험등을 하였다. 이러한 일반적인 방법 외에도 Pt기반위에 박막을 증착시키고 이를 상부전극없이 Current Atomic Force microscopy의 팁에 bias를 곧바로 걸어주어 전기적 성질을 측정하였고, nano particle들을 Pt 기판위에 성장시키고 그 것을 Current AFM을 이용하여 측정하는 실험도 수행하였다. 부수적으로 필요한 단면 정보를 위해서는 FE-SEM을 사용하였고, 구조를 분석하기 위한 XRD, ion-milling과 annealing도 필요에 따라 사용하였다

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