NiO의 물리적, 기술적 중요성으로 인한 흥미는 점차 증폭되고 있다. NiO 자체가 반도체이고, 크롬산 소자로도 사용이 가능하며 화학 센서로도 이용되고 있기 때문이다. NiO는 격자상수 값이 4.194 Å인 입방구조이고, 에너지띠 간격이 3.6 ~ 4.0 eV인 반도체 물질로 알려져 있다. 그리고 NiO는 523 K 이하에서 반강자성의 자기적 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 NiO ...
NiO의 물리적, 기술적 중요성으로 인한 흥미는 점차 증폭되고 있다. NiO 자체가 반도체이고, 크롬산 소자로도 사용이 가능하며 화학 센서로도 이용되고 있기 때문이다. NiO는 격자상수 값이 4.194 Å인 입방구조이고, 에너지띠 간격이 3.6 ~ 4.0 eV인 반도체 물질로 알려져 있다. 그리고 NiO는 523 K 이하에서 반강자성의 자기적 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 NiO 박막을 성장하고 그에 따른 여러 가지 특성을 분석했다. 박막성장은 Ar 분위기에서 dc sputtering법으로 했고, 성장된 박막은 산소 분위기에서 다시 300에서 1000 ℃까지 온도를 변화시켜가면서 열처리 했다. XRD 측정으로부터 성장된 박막의 결정 구조는 입방구조임을 확인했고, FWHM과 입자 크기를 계산했다. 광흡수 측정으로부터 열처리 온도에 따라 energy gap이 달라지는 것도 확인할 수 있었다.
NiO의 물리적, 기술적 중요성으로 인한 흥미는 점차 증폭되고 있다. NiO 자체가 반도체이고, 크롬산 소자로도 사용이 가능하며 화학 센서로도 이용되고 있기 때문이다. NiO는 격자상수 값이 4.194 Å인 입방구조이고, 에너지띠 간격이 3.6 ~ 4.0 eV인 반도체 물질로 알려져 있다. 그리고 NiO는 523 K 이하에서 반강자성의 자기적 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 NiO 박막을 성장하고 그에 따른 여러 가지 특성을 분석했다. 박막성장은 Ar 분위기에서 dc sputtering법으로 했고, 성장된 박막은 산소 분위기에서 다시 300에서 1000 ℃까지 온도를 변화시켜가면서 열처리 했다. XRD 측정으로부터 성장된 박막의 결정 구조는 입방구조임을 확인했고, FWHM과 입자 크기를 계산했다. 광흡수 측정으로부터 열처리 온도에 따라 energy gap이 달라지는 것도 확인할 수 있었다.
Nickeloxide(NiO)isan attractivematerialforitssemiconductorproperties,an electrochromicdeviceandafunctionalsensorlayerforchemicalsensors.Nickel oxide(NiO)hasacubiccrystalstructurewithalatticeconstantof4.194A and is a semiconductorwith the band gap energy of3.6~4.0 eV at300 K.Ithas beenwidelystudiedan...
Nickeloxide(NiO)isan attractivematerialforitssemiconductorproperties,an electrochromicdeviceandafunctionalsensorlayerforchemicalsensors.Nickel oxide(NiO)hasacubiccrystalstructurewithalatticeconstantof4.194A and is a semiconductorwith the band gap energy of3.6~4.0 eV at300 K.Ithas beenwidelystudiedandusedforspindevicesasapinninglayerbecauseofits antiferromagnetic(AFM)propertieswiththeNeeltemperature(TN)of525K.It is reported thatAFM materials have modified magnetic properties in reduced dimensionalsystemsi.e.,nanocrystallineAFM materialmayhaveuncompensated magnetic moments even below TN at the surfaces and interfaces.Here we reporton thestructuraland opticalpropertiesofnanocrystallineNiO thin films prepared by thethermaloxidation ofmetallicNi.Firstly,the2000A Nimetal films were deposited on fused silica substrates atroom temperature by DC magnetron sputtering with an Arpressure of50 mTorr.Afterdeposition,the films were removed and placed in a thermaloxidation furnace at different temperatures(300,400,500,600,700,and 1000℃)for30minutes,resulting in themean grain sizesbetween 4nm and35nm,determinedusing theScherrer formula.From opticalabsorption spectra,we determined the energy gaps of these films.Interestingly,the energy gaps were in the range of2.8~3.2 eV, whichweremuchsmallerthanthoseofthebulk.
Nickeloxide(NiO)isan attractivematerialforitssemiconductorproperties,an electrochromicdeviceandafunctionalsensorlayerforchemicalsensors.Nickel oxide(NiO)hasacubiccrystalstructurewithalatticeconstantof4.194A and is a semiconductorwith the band gap energy of3.6~4.0 eV at300 K.Ithas beenwidelystudiedandusedforspindevicesasapinninglayerbecauseofits antiferromagnetic(AFM)propertieswiththeNeeltemperature(TN)of525K.It is reported thatAFM materials have modified magnetic properties in reduced dimensionalsystemsi.e.,nanocrystallineAFM materialmayhaveuncompensated magnetic moments even below TN at the surfaces and interfaces.Here we reporton thestructuraland opticalpropertiesofnanocrystallineNiO thin films prepared by thethermaloxidation ofmetallicNi.Firstly,the2000A Nimetal films were deposited on fused silica substrates atroom temperature by DC magnetron sputtering with an Arpressure of50 mTorr.Afterdeposition,the films were removed and placed in a thermaloxidation furnace at different temperatures(300,400,500,600,700,and 1000℃)for30minutes,resulting in themean grain sizesbetween 4nm and35nm,determinedusing theScherrer formula.From opticalabsorption spectra,we determined the energy gaps of these films.Interestingly,the energy gaps were in the range of2.8~3.2 eV, whichweremuchsmallerthanthoseofthebulk.
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