산화아연 (ZnO)은 3.37 eV의 큰 직접 전이형 밴드 갭과 60 meV의 큰 엑시톤 (exiton) 결합 에너지를 가지고 있는 반도체이다.이러한 강한 엑시톤 결합 에너지는 실온에서의 ...
산화아연 (ZnO)은 3.37 eV의 큰 직접 전이형 밴드 갭과 60 meV의 큰 엑시톤 (exiton) 결합 에너지를 가지고 있는 반도체이다.이러한 강한 엑시톤 결합 에너지는 실온에서의 열 에너지 보다 훨씬 큰 것으로 실온에서 효율적으로 자외선 영역의 빛을 낼 수 있다. 따라서 산화아연은 실온에서 레이저 다이오드 (laser diode)와 발광 다이오드 (light-emitting diode), 태양 전지 (solar cell), 다양한 센서 (sensor)로의 응용에 많은 가능성을 가지고 있다. 본 연구에서는 육각형, 육각 뿔, 막대 모양의 산화아연 (ZnO) 을 비 가수성 졸(sol) - 겔(gel) 에스터제거 반응을 통해서 합성하였다. 산화아연 결정은 각각trioctylphosphine oxide, 1-hexadecylamine, tetradecylphosphonic acid 존재 하에서 zinc acetate와 1,12-dodecanediol 사이의 반응으로 합성하였다. 그리고 합성한 산화아연 (ZnO) 결정을 고 배율 투과 전자 현미경 (HR-TEM)으로 확인하였고, PL 스펙트럼을 통해서 합성한 산화아연 결정의 광루미네선스 (photoluminescence) 특성을 알 수 있었다. 막대 모양의 산화아연 결정의 경우에는 평균 5 nm x 30 nm 의 크기로 양자 제한 효과에 의해서 PL 스펙트럼에서 청색 전이 (blue shift) 현상을 보였다.
산화아연 (ZnO)은 3.37 eV의 큰 직접 전이형 밴드 갭과 60 meV의 큰 엑시톤 (exiton) 결합 에너지를 가지고 있는 반도체이다.이러한 강한 엑시톤 결합 에너지는 실온에서의 열 에너지 보다 훨씬 큰 것으로 실온에서 효율적으로 자외선 영역의 빛을 낼 수 있다. 따라서 산화아연은 실온에서 레이저 다이오드 (laser diode)와 발광 다이오드 (light-emitting diode), 태양 전지 (solar cell), 다양한 센서 (sensor)로의 응용에 많은 가능성을 가지고 있다. 본 연구에서는 육각형, 육각 뿔, 막대 모양의 산화아연 (ZnO) 을 비 가수성 졸(sol) - 겔(gel) 에스터 제거 반응을 통해서 합성하였다. 산화아연 결정은 각각trioctylphosphine oxide, 1-hexadecylamine, tetradecylphosphonic acid 존재 하에서 zinc acetate와 1,12-dodecanediol 사이의 반응으로 합성하였다. 그리고 합성한 산화아연 (ZnO) 결정을 고 배율 투과 전자 현미경 (HR-TEM)으로 확인하였고, PL 스펙트럼을 통해서 합성한 산화아연 결정의 광루미네선스 (photoluminescence) 특성을 알 수 있었다. 막대 모양의 산화아연 결정의 경우에는 평균 5 nm x 30 nm 의 크기로 양자 제한 효과에 의해서 PL 스펙트럼에서 청색 전이 (blue shift) 현상을 보였다.
ZnO is a direct-bandgap semiconductor with a large bandgap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV. This strong exciton binding energy, which is much larger than the thermal energy at room temperature, can ensure an efficient UV-blue emission at room temperature. Consequently, ZnO ha...
ZnO is a direct-bandgap semiconductor with a large bandgap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV. This strong exciton binding energy, which is much larger than the thermal energy at room temperature, can ensure an efficient UV-blue emission at room temperature. Consequently, ZnO has great potential in applications such as room-temperature UV lasers, light-emitting diodes, solar cells, and sensors. We synthesize of ZnO nanocrystals with hexagon, hexagonal cone, and rod shapes via non-hydrolytic ester elimination sol-gel reactions. ZnO nanocrystals were synthesized from the reaction of zinc acetate with 1,12-dodecanediol in the presence of trioctylphosphine oxide, 1-hexadecylamine, and tetradecylphosphonic acid. The synthesized nanocrystals were characterized by high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) and we observed roomtemperature photoluminescence (PL) properties of the ZnO nanocrystals. In the case of ZnO nanorods, an average size of 5 nm x 30 nm, a blueshift of PL spectra is observed because of quantum confinement effects.
ZnO is a direct-bandgap semiconductor with a large bandgap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV. This strong exciton binding energy, which is much larger than the thermal energy at room temperature, can ensure an efficient UV-blue emission at room temperature. Consequently, ZnO has great potential in applications such as room-temperature UV lasers, light-emitting diodes, solar cells, and sensors. We synthesize of ZnO nanocrystals with hexagon, hexagonal cone, and rod shapes via non-hydrolytic ester elimination sol-gel reactions. ZnO nanocrystals were synthesized from the reaction of zinc acetate with 1,12-dodecanediol in the presence of trioctylphosphine oxide, 1-hexadecylamine, and tetradecylphosphonic acid. The synthesized nanocrystals were characterized by high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) and we observed roomtemperature photoluminescence (PL) properties of the ZnO nanocrystals. In the case of ZnO nanorods, an average size of 5 nm x 30 nm, a blueshift of PL spectra is observed because of quantum confinement effects.
AI-Helper
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.