본 연구에서는 DBD(Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist(PR) Ashing 에 관한 연구를 하였다. 대기압 plasma가 진공 plasma보다 고정장비의 값이 저렴하며 대면적 처리할 수 있는 장점등을 가지고 있기 때문에 현재 반도체 ...
본 연구에서는 DBD(Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist(PR) Ashing 에 관한 연구를 하였다. 대기압 plasma가 진공 plasma보다 고정장비의 값이 저렴하며 대면적 처리할 수 있는 장점등을 가지고 있기 때문에 현재 반도체 식각, 박막증착, 태양전지 제조장지, FPD(Flat Panel Display)등 넓은 분야에서 활용하고 있다. 본 연구에서는 습식 ashing의 환경오염, 공정비용이 높은 단점을 피할 수 있으며, 다량의 chemical 소모를 줄일 수 있으므로, 경제적이고 반응률이 높은 DBD방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용하여 PR을 제거하는 건식 ashing 공정을 진행하였다. 본 실험에서는 feeding gas인 N2 gas flow rate가 800 slm, reactive gas인 CDA(Clean Dry Air,O2 21%함유)gas flow rate의 변화에 따른 PR ashing rate를 관찰하였으며, 또한 fluorine gas(SF6 및 CF4)를 함께 첨가하였을 경우에 PR ashing rate의 값을 비교하였다. Fluorine gas를 첨가하였을 때에는 penning ionization 효과로 인하여 ionization의 효율이 증가하며, 따라서 F radical이 증가하게 되고 이로 인해 PR ashing rate가 증가하는 경향성을 볼 수 있다. 그리고 fluorine gas인 SF6와 CF4 gas의 첨가 유량에 따라 PR ashing rate의 변화를 관찰하였으며, 같은 유량의 상태에서 Q-V Lissjous curve에 의해 SF6와 CF4의 소모전력을 관찰하였으며, OES(optical emission spectrum)을 통하여 radical intensity를 관찰하였다.
본 연구에서는 SEP Inc.에서 자체적으로 개발한 650mm(전극길이) 대기압 plasama 발생 장치를 이용하여 PR ashing 공정을 하였다.
본 연구에서는 DBD(Dielectric Barrier Discharge)방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용한 Photoresist(PR) Ashing 에 관한 연구를 하였다. 대기압 plasma가 진공 plasma보다 고정장비의 값이 저렴하며 대면적 처리할 수 있는 장점등을 가지고 있기 때문에 현재 반도체 식각, 박막증착, 태양전지 제조장지, FPD(Flat Panel Display)등 넓은 분야에서 활용하고 있다. 본 연구에서는 습식 ashing의 환경오염, 공정비용이 높은 단점을 피할 수 있으며, 다량의 chemical 소모를 줄일 수 있으므로, 경제적이고 반응률이 높은 DBD방식을 통해 발생된 대기압 plasma를 이용하여 PR을 제거하는 건식 ashing 공정을 진행하였다. 본 실험에서는 feeding gas인 N2 gas flow rate가 800 slm, reactive gas인 CDA(Clean Dry Air,O2 21%함유)gas flow rate의 변화에 따른 PR ashing rate를 관찰하였으며, 또한 fluorine gas(SF6 및 CF4)를 함께 첨가하였을 경우에 PR ashing rate의 값을 비교하였다. Fluorine gas를 첨가하였을 때에는 penning ionization 효과로 인하여 ionization의 효율이 증가하며, 따라서 F radical이 증가하게 되고 이로 인해 PR ashing rate가 증가하는 경향성을 볼 수 있다. 그리고 fluorine gas인 SF6와 CF4 gas의 첨가 유량에 따라 PR ashing rate의 변화를 관찰하였으며, 같은 유량의 상태에서 Q-V Lissjous curve에 의해 SF6와 CF4의 소모전력을 관찰하였으며, OES(optical emission spectrum)을 통하여 radical intensity를 관찰하였다.
본 연구에서는 SEP Inc.에서 자체적으로 개발한 650mm(전극길이) 대기압 plasama 발생 장치를 이용하여 PR ashing 공정을 하였다.
This thesis will discuss to plasma photoresist ashing rate in the atmospheric pressure using the Dielectric Barrier Discharge (DBD). Atmospheric pressure plasma has many advantages compare to vacuum plasma including low overhead costs and easy process on a larger scale. Therefore, it has been widely...
This thesis will discuss to plasma photoresist ashing rate in the atmospheric pressure using the Dielectric Barrier Discharge (DBD). Atmospheric pressure plasma has many advantages compare to vacuum plasma including low overhead costs and easy process on a larger scale. Therefore, it has been widely used in the field of semiconductor etching, film deposition, solar cell, FPD and so on. In contrast to wet ashing, atmospheric pressure plasma is effectively free in the environmental pollution and chemical consumption, and saves costs on equipment . In this experiment, the feeding N2 gas flow rate is set to be 800slm. Observation is conducted with CDA (Clean Dry Air,O2 21%) flow rate changes, and comparing the result by adding fluorine gas. When fluorine gas is added, the photoresist ashing rate is increased as a result of penning ionization. The photoresist ashing rate variation is subsequently observed with the changes of fluorine gas flow. At last, through the Q-V lissajous curve and OES(optical emission spectrum) cuvse, I compared atmospheric pressure plasma`s power and F radical intensity of the same flow rate SF6 and CF4 gas.
In this study, we used 650mm atmospheric pressure plasma generator for the photoresist ashing experiment, which was developed independently by SEP Inc.
This thesis will discuss to plasma photoresist ashing rate in the atmospheric pressure using the Dielectric Barrier Discharge (DBD). Atmospheric pressure plasma has many advantages compare to vacuum plasma including low overhead costs and easy process on a larger scale. Therefore, it has been widely used in the field of semiconductor etching, film deposition, solar cell, FPD and so on. In contrast to wet ashing, atmospheric pressure plasma is effectively free in the environmental pollution and chemical consumption, and saves costs on equipment . In this experiment, the feeding N2 gas flow rate is set to be 800slm. Observation is conducted with CDA (Clean Dry Air,O2 21%) flow rate changes, and comparing the result by adding fluorine gas. When fluorine gas is added, the photoresist ashing rate is increased as a result of penning ionization. The photoresist ashing rate variation is subsequently observed with the changes of fluorine gas flow. At last, through the Q-V lissajous curve and OES(optical emission spectrum) cuvse, I compared atmospheric pressure plasma`s power and F radical intensity of the same flow rate SF6 and CF4 gas.
In this study, we used 650mm atmospheric pressure plasma generator for the photoresist ashing experiment, which was developed independently by SEP Inc.
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