Ⅱ-Ⅵ족 화합물은 일반적으로 이질 접합 태양전지의 윈도우 층과 버퍼 층에 사용된다. CdS, ZnS/ZnO 초격자, ZnO, ZnS, ZnSe와 ZnSe:B의 여섯 가지 박막들은 DMCd, DEZn, H2O, ...
Ⅱ-Ⅵ족 화합물은 일반적으로 이질 접합 태양전지의 윈도우 층과 버퍼 층에 사용된다. CdS, ZnS/ZnO 초격자, ZnO, ZnS, ZnSe와 ZnSe:B의 여섯 가지 박막들은 DMCd, DEZn, H2O, H2Sgas, H2Se 가스와 B2H6 도핑 가스를 MOCVD 법을 이용하여 유리기판 위에 제작되었다. 화합물 시료들의 특성은 주사전자현미경, X-선 회절 분석, 흡광도 측정과 라만 분광을 사용하여 분석되었다. 측정 결과로, CdS의 X-선 회절 분석의 주된 봉우리들은 (100), (002), (101), (112) 의 네 개의 면을 말하고, 광학적 에너지 띠 간격은 2.48eV로 추산한다. CdS의 라만 산란은 300과 600cm-1, 두 개의 봉우리를 보이며 이는 1LO (세로 방향의 광학) 과 2LO 모드이다. 개별적으로, ZnS/ZnO 초격자의 X-선 회절 분석은 두 가지 봉우리가 관찰되는데, 하나는 ZnS에 다른 하나는 ZnO에 속한 봉우리이다. ZnS/ZnO 초격자의 광학적 에너지 띠 간격은 ZnS (Eg = 3.72eV) 와 ZnO (Eg = 3.22eV) 사이의 중간 값으로 대략 3.4eV로 계산된다. 그러나 라만의 ZnS/ZnO 초격자는 네 개의 봉우리를 측정하였는데, 이 봉우리 중 하나가 ZnO와 같은 위치에 있는 것이다. X-선 회절 분석에서 ZnSe는 ZnSe:B과 같은 (111) 면에서 하나의 봉우리를 보이고, 광학적 에너지 띠 간격은 2.67eV (ZnSe) 와 2.71eV (ZnSe:B) 이다. ZnSe:B의 라만 분광은 ZnSe와 비교하였을 때 “TO (가로 방향의 광학)” 모드를 추가적으로 가진다. 비록 “TO” mode 봉우리가 일반적으로 관찰되지는 않지만, 이 실험에서는 측정된다.
Ⅱ-Ⅵ족 화합물은 일반적으로 이질 접합 태양전지의 윈도우 층과 버퍼 층에 사용된다. CdS, ZnS/ZnO 초격자, ZnO, ZnS, ZnSe와 ZnSe:B의 여섯 가지 박막들은 DMCd, DEZn, H2O, H2S gas, H2Se 가스와 B2H6 도핑 가스를 MOCVD 법을 이용하여 유리기판 위에 제작되었다. 화합물 시료들의 특성은 주사전자현미경, X-선 회절 분석, 흡광도 측정과 라만 분광을 사용하여 분석되었다. 측정 결과로, CdS의 X-선 회절 분석의 주된 봉우리들은 (100), (002), (101), (112) 의 네 개의 면을 말하고, 광학적 에너지 띠 간격은 2.48eV로 추산한다. CdS의 라만 산란은 300과 600cm-1, 두 개의 봉우리를 보이며 이는 1LO (세로 방향의 광학) 과 2LO 모드이다. 개별적으로, ZnS/ZnO 초격자의 X-선 회절 분석은 두 가지 봉우리가 관찰되는데, 하나는 ZnS에 다른 하나는 ZnO에 속한 봉우리이다. ZnS/ZnO 초격자의 광학적 에너지 띠 간격은 ZnS (Eg = 3.72eV) 와 ZnO (Eg = 3.22eV) 사이의 중간 값으로 대략 3.4eV로 계산된다. 그러나 라만의 ZnS/ZnO 초격자는 네 개의 봉우리를 측정하였는데, 이 봉우리 중 하나가 ZnO와 같은 위치에 있는 것이다. X-선 회절 분석에서 ZnSe는 ZnSe:B과 같은 (111) 면에서 하나의 봉우리를 보이고, 광학적 에너지 띠 간격은 2.67eV (ZnSe) 와 2.71eV (ZnSe:B) 이다. ZnSe:B의 라만 분광은 ZnSe와 비교하였을 때 “TO (가로 방향의 광학)” 모드를 추가적으로 가진다. 비록 “TO” mode 봉우리가 일반적으로 관찰되지는 않지만, 이 실험에서는 측정된다.
Ⅱ-Ⅵ compounds are typically used for the window layer and the buffer layer of heterojunction-thin film solar cell. Six thin films, CdS, ZnS/ZnO super lattice, ZnO, ZnS, ZnSe, and ZnSe:B, were prepared on the glass substrate by using MOCVD method with DMCd, DEZn, H2O, H2S gas, H2Se gas, and B2H6 dopi...
Ⅱ-Ⅵ compounds are typically used for the window layer and the buffer layer of heterojunction-thin film solar cell. Six thin films, CdS, ZnS/ZnO super lattice, ZnO, ZnS, ZnSe, and ZnSe:B, were prepared on the glass substrate by using MOCVD method with DMCd, DEZn, H2O, H2S gas, H2Se gas, and B2H6 doping gas. The characteristic of the compound samples analyzed by using a scanning electron microscope (SEM), x-ray diffraction (XRD), absorbance measurement, and Raman spectroscopy. As the results of measurements, XRD of the CdS main peaks observes four planes, (100), (002), (101), (112), and estimated optical energy band gap (Eg) is 2.48eV. Raman scattering of CdS shows two peaks at 300 and 600cm-1 which are 1LO (Longitudinal Optical) and 2LO modes. Severally, The XRD pattern of ZnS/ZnO super lattice measures two peaks, one belongs to ZnS and the other is from ZnO. Optical energy band gap of ZnS/ZnO super lattice is computed 3.4eV roughly which is the intermediate value between ZnS (Eg = 3.72eV) and ZnO (Eg = 3.22eV). However, in Raman, ZnS/ZnO super lattice measures four peaks that one of them is located to the same position with ZnO. ZnSe in XRD observes one peak at the (111) plane as same as ZnSe:B, and optical energy band gaps are 2.67eV (ZnSe) and 2.71eV (ZnSe:B). Raman spectroscopy of ZnSe:B has the additional peak which is “TO (Transverse Optical)“ mode compared to ZnSe. Although “TO“ mode peak is not usually observed, the peak in this experiment is measured.
Ⅱ-Ⅵ compounds are typically used for the window layer and the buffer layer of heterojunction-thin film solar cell. Six thin films, CdS, ZnS/ZnO super lattice, ZnO, ZnS, ZnSe, and ZnSe:B, were prepared on the glass substrate by using MOCVD method with DMCd, DEZn, H2O, H2S gas, H2Se gas, and B2H6 doping gas. The characteristic of the compound samples analyzed by using a scanning electron microscope (SEM), x-ray diffraction (XRD), absorbance measurement, and Raman spectroscopy. As the results of measurements, XRD of the CdS main peaks observes four planes, (100), (002), (101), (112), and estimated optical energy band gap (Eg) is 2.48eV. Raman scattering of CdS shows two peaks at 300 and 600cm-1 which are 1LO (Longitudinal Optical) and 2LO modes. Severally, The XRD pattern of ZnS/ZnO super lattice measures two peaks, one belongs to ZnS and the other is from ZnO. Optical energy band gap of ZnS/ZnO super lattice is computed 3.4eV roughly which is the intermediate value between ZnS (Eg = 3.72eV) and ZnO (Eg = 3.22eV). However, in Raman, ZnS/ZnO super lattice measures four peaks that one of them is located to the same position with ZnO. ZnSe in XRD observes one peak at the (111) plane as same as ZnSe:B, and optical energy band gaps are 2.67eV (ZnSe) and 2.71eV (ZnSe:B). Raman spectroscopy of ZnSe:B has the additional peak which is “TO (Transverse Optical)“ mode compared to ZnSe. Although “TO“ mode peak is not usually observed, the peak in this experiment is measured.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.