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논 문 요 약
Zinc oxide은 wurtzite구조의 II-VI 족 직접 밴드 갭 화합물 반도체이다. ZnO의 밴드 갭은 3.37eV이고, exciton binding energy는 60 meV이다. ZnO의 필름은 많은 응용 가능성을 가지고 있다. 예를 들면 발광 다이오드, 자외선 ...
저자 | YU MENG |
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학위수여기관 | 아주대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 |
지도교수 | 조중열 |
발행연도 | 2015 |
총페이지 | 40 |
키워드 | ZnO 박막 트랜지스터의 특성 연구 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13736367&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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