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NTIS 바로가기본 논문은 SiC IGBT를 이용한 2.2kW급 3상 인버터에 관한 연구이다. SiC 전력반도체 소자는 기존 실리콘기반의 전력반도체 소자에 비해 넓은 에너지 밴드폭, 높은 항복전압특성, 빠른 포화전자속도 및 우수한 열전도도 등으로 고온 및 고전압에서 소자 안정성이 우수하고 고주파수에서의 동작이 가능하여 기존의 전기·전자 시스템의 신뢰성을 향상시키고 전력변환효율을 높이며 시스템을 경량화 시킬 수 있다. 본 논문에서는 이러한 특성을 갖는 전력반도체 소자인 SiC IGBT를 적용하여 정격 ...
저자 | 허준 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자시스템공학과 |
지도교수 | 김희준 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | 36 p. |
키워드 | 전자공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14541616&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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