비정질 산화물 반도체 (AOS)는 비교적 높은 전계 효과 이동도, 낮은 off 전류 및 양호한 균일성을 가지므로 실리콘 박막 트랜지스터 (TFT) 대신에 고해상도 대형 디스플레이에 널리 사용되어 연구되고 있다. 그러나 a-IGZO TFT와 같은 산화물 TFT는 일반적으로 ~10 cm2/Vs의 불충분한 전계 효과 이동도 (μFE)를 보이며, 이는 높은 ppi의 ...
비정질 산화물 반도체 (AOS)는 비교적 높은 전계 효과 이동도, 낮은 off 전류 및 양호한 균일성을 가지므로 실리콘 박막 트랜지스터 (TFT) 대신에 고해상도 대형 디스플레이에 널리 사용되어 연구되고 있다. 그러나 a-IGZO TFT와 같은 산화물 TFT는 일반적으로 ~10 cm2/Vs의 불충분한 전계 효과 이동도 (μFE)를 보이며, 이는 높은 ppi의 AMOLED 백플레인 같이 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션에 적용하기 위해 여전히 개선되어야 한다. 따라서 비정질 인듐-갈륨-주석 산화물 (a-IGTO)을 사용하여, 우수한 안정성과 전기적 특성을 가진 TFT를 제조했다. a-IGTO TFT는 VTH가 -0.2 V, μFE 가 39.5 cm2/Vs, SS가 0.19 V/dec 인 우수한 특성을 나타낸다. 또한, a-IGTO TFT는 PBS, NBS 및 NBIS 하에서 안정한 결과를 보여준다.
비정질 산화물 반도체 (AOS)는 비교적 높은 전계 효과 이동도, 낮은 off 전류 및 양호한 균일성을 가지므로 실리콘 박막 트랜지스터 (TFT) 대신에 고해상도 대형 디스플레이에 널리 사용되어 연구되고 있다. 그러나 a-IGZO TFT와 같은 산화물 TFT는 일반적으로 ~10 cm2/Vs의 불충분한 전계 효과 이동도 (μFE)를 보이며, 이는 높은 ppi의 AMOLED 백플레인 같이 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션에 적용하기 위해 여전히 개선되어야 한다. 따라서 비정질 인듐-갈륨-주석 산화물 (a-IGTO)을 사용하여, 우수한 안정성과 전기적 특성을 가진 TFT를 제조했다. a-IGTO TFT는 VTH가 -0.2 V, μFE 가 39.5 cm2/Vs, SS가 0.19 V/dec 인 우수한 특성을 나타낸다. 또한, a-IGTO TFT는 PBS, NBS 및 NBIS 하에서 안정한 결과를 보여준다.
Since amorphous oxide semiconductors (AOSs) have comparatively high field effect mobility, low off-current, and good uniformity, they have been widely studied for use in high-resolution large-sized displays in place of silicon-based thin-film transistors (TFTs). However, oxide TFTs like a-IGZO TFTs ...
Since amorphous oxide semiconductors (AOSs) have comparatively high field effect mobility, low off-current, and good uniformity, they have been widely studied for use in high-resolution large-sized displays in place of silicon-based thin-film transistors (TFTs). However, oxide TFTs like a-IGZO TFTs typically have insufficient field effect mobility (µFE) of ~10 cm2/V·s which is still to be improved in pursuance of applying to applications that require high current. For example, active metrics organic light emitting diode (AMOLED) backplane with high ppi. Therefore, we fabricated a TFTs with greater stability and better electrical characteristics by amorphous indium-gallium-tin oxide (a-IGTO) active layer. The a-IGTO TFT exhibits excellent characteristics of VTH of -0.2 V, field effect mobility of 39.5 cm2/V·s, and a subthreshold swing of 0.19 V/dec. Also, a-IGTO TFTs show the stable results under positive bias stress (PBS), negative bias stress (NBS), and negative bias illumination stress (NBIS).
Since amorphous oxide semiconductors (AOSs) have comparatively high field effect mobility, low off-current, and good uniformity, they have been widely studied for use in high-resolution large-sized displays in place of silicon-based thin-film transistors (TFTs). However, oxide TFTs like a-IGZO TFTs typically have insufficient field effect mobility (µFE) of ~10 cm2/V·s which is still to be improved in pursuance of applying to applications that require high current. For example, active metrics organic light emitting diode (AMOLED) backplane with high ppi. Therefore, we fabricated a TFTs with greater stability and better electrical characteristics by amorphous indium-gallium-tin oxide (a-IGTO) active layer. The a-IGTO TFT exhibits excellent characteristics of VTH of -0.2 V, field effect mobility of 39.5 cm2/V·s, and a subthreshold swing of 0.19 V/dec. Also, a-IGTO TFTs show the stable results under positive bias stress (PBS), negative bias stress (NBS), and negative bias illumination stress (NBIS).
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