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NTIS 바로가기반도체 공정의 Scale down으로 인해 반도체의 높이는 증가하고 있다. 반도체를 높게 집적하기 위해서는 회로의 표면에 굴곡이 없고 평평해야 한다. 높이 쌓을수록 편차가 발생하는데, 편차로 인해 다음 공정이 제대로 이루어지지 않을 수 있다. 이런 상황 속에서 Wafer의 표면을 평탄화시키는 CMP(Chemical-Mechanical-Polishing)공정에서의 역할이 커지고 있다. CMP 공정에서는 Removal thickness를 일정하게 유지하는 것이 중요한데, 이를 위해서는 연마를 할 때 압력을 Wafer 전체에 고르게 가해주어야 한다[1]. 따라서 다양한 Split 실험을 통해 최적 조건을 찾아야 하는데 많은 공정으로 인한 장비 ...
저자 | 김별 |
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학위수여기관 | 한양대학교 공학대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 재료및화공(신소재)전공 |
지도교수 | 박재근 |
발행연도 | 2019 |
총페이지 | v, 34 p. |
키워드 | 재료공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15333983&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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