DRAM 제조공정을 위한 HARC 식각공정에서 cryogenic etch 기술이 사용되고 있다. DRAM capacitor의 정전용량 확보와 3D NAND 플래시 메모리의 적층 구조가 증가함에 수직적인 ...
DRAM 제조공정을 위한 HARC 식각공정에서 cryogenic etch 기술이 사용되고 있다. DRAM capacitor의 정전용량 확보와 3D NAND 플래시 메모리의 적층 구조가 증가함에 수직적인 식각의 역할은 더욱 더 중요해지고 있다. Cryogenic etch는 process 측면에서 많은 연구가 이루어졌으나, 장비적인 관점에서는 연구가 부족한 상황이다. 따라서 반도체 장비인 showerhead, chamber, ESC에서의 극저온 특성을 이해해야한다. 본 연구에서는 CFD를 이용해 showerhead에서 chamber로의 공정 가스의 유동 및 극저온 상태인 ESC에서 온도균일도, 극저온 상태의 챔버 내부의 열, 유동 특성을 확인했다. CFD program으로 ansys fluent 19.2를 사용하였다. 이러한 결과 chamber의 height가 높아질 수록 flow uniformity가 개선되는 챔버 특성을 확인하였으며, ESC 에서는 냉각수가 3방향을 통해 배출되는 것이 가장 좋은 uniformity를 나타내는 특성을 확인했다. 또한 챔버 내부에서 열, 유동 특성을 확인하였다. 따라서 극저온 식각 장비의 하드웨어 고려사항을 확보하는데 도움이 될 수 있습니다.
DRAM 제조공정을 위한 HARC 식각공정에서 cryogenic etch 기술이 사용되고 있다. DRAM capacitor의 정전용량 확보와 3D NAND 플래시 메모리의 적층 구조가 증가함에 수직적인 식각의 역할은 더욱 더 중요해지고 있다. Cryogenic etch는 process 측면에서 많은 연구가 이루어졌으나, 장비적인 관점에서는 연구가 부족한 상황이다. 따라서 반도체 장비인 showerhead, chamber, ESC에서의 극저온 특성을 이해해야한다. 본 연구에서는 CFD를 이용해 showerhead에서 chamber로의 공정 가스의 유동 및 극저온 상태인 ESC에서 온도균일도, 극저온 상태의 챔버 내부의 열, 유동 특성을 확인했다. CFD program으로 ansys fluent 19.2를 사용하였다. 이러한 결과 chamber의 height가 높아질 수록 flow uniformity가 개선되는 챔버 특성을 확인하였으며, ESC 에서는 냉각수가 3방향을 통해 배출되는 것이 가장 좋은 uniformity를 나타내는 특성을 확인했다. 또한 챔버 내부에서 열, 유동 특성을 확인하였다. 따라서 극저온 식각 장비의 하드웨어 고려사항을 확보하는데 도움이 될 수 있습니다.
The cryogenic etch technology is used in the HARC etching process for the DRAM manufacturing process. As the capacitance of DRAM capacitors is secured and the stack structure of 3D NAND flash memories increases, the role of vertical etching is becoming more and more important. Cryogenic etch has bee...
The cryogenic etch technology is used in the HARC etching process for the DRAM manufacturing process. As the capacitance of DRAM capacitors is secured and the stack structure of 3D NAND flash memories increases, the role of vertical etching is becoming more and more important. Cryogenic etch has been studied a lot in the aspect of process, but research is insufficient in terms of equipment. Therefore, it is necessary to understand the cryogenic characteristics of semiconductor equipment such as showerhead, chamber, and ESC. In this study, the flow of process gas from the showerhead to the chamber, temperature uniformity in the cryogenic ESC, and the heat and flow characteristics of the cryogenic chamber were confirmed using CFD. Ansys fluent 19.2 was used as the CFD program. As a result of this, the higher the height of the chamber, the better the flow uniformity. In the ESC, it was confirmed that the coolant discharged through three directions shows the best uniformity. In addition, heat and flow characteristics were confirmed inside the chamber. Therefore, it may help to secure Hardware considerations of cryogenic etch equipment design.
The cryogenic etch technology is used in the HARC etching process for the DRAM manufacturing process. As the capacitance of DRAM capacitors is secured and the stack structure of 3D NAND flash memories increases, the role of vertical etching is becoming more and more important. Cryogenic etch has been studied a lot in the aspect of process, but research is insufficient in terms of equipment. Therefore, it is necessary to understand the cryogenic characteristics of semiconductor equipment such as showerhead, chamber, and ESC. In this study, the flow of process gas from the showerhead to the chamber, temperature uniformity in the cryogenic ESC, and the heat and flow characteristics of the cryogenic chamber were confirmed using CFD. Ansys fluent 19.2 was used as the CFD program. As a result of this, the higher the height of the chamber, the better the flow uniformity. In the ESC, it was confirmed that the coolant discharged through three directions shows the best uniformity. In addition, heat and flow characteristics were confirmed inside the chamber. Therefore, it may help to secure Hardware considerations of cryogenic etch equipment design.
주제어
#Cryogenic etch HARC process Showerhead Chamber ESC Uniformity
학위논문 정보
저자
박영준
학위수여기관
명지대학교 대학원
학위구분
국내석사
학과
전자공학과
지도교수
홍상진
발행연도
2021
총페이지
v, 28p
키워드
Cryogenic etch HARC process Showerhead Chamber ESC Uniformity
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