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반구형 LPCVD 다결정 실리콘 박막의 구조 및 특성
Structure and Properties of Hemispherical Grain LPCVD Polycrystalline Silicon Films 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.1 no.2, 1991년, pp.77 - 85  

박영진 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  전하응 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  이승석 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  이석희 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  우상호 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  김종철 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  박헌섭 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  천희곤 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실) ,  오계환 (현대전자 반도체연구소 공정개발 2실)

초록
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LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) System을 이용하여 여러가지 증착 변수에 따른 실리콘 박막의 표면형상에 대해 고찰하였다. 중착압력, 중착온도, 반응기체의 유속에 따라 증착층의 표면형상이 큰 변화를 나타냈으며, 증착압력과 반응기체의 유속이 증가할수록 유효면적이 최대가 되는 증착온도가 증가하였다. 이러한 실험결과는 안정한 핵의 생성률이 최대가 될때 유효표면적이 최대가 된다는 가정으로부터 유도된 식과 일치하는 결과를 나타냈다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study we have investigated surface morphologies of as-deposited silicon films on the various deposition conditions using LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) System. The processing conditions such as deposition temperature, pressure and flow rate of $SiH_4$ gas were found...

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