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Co/Si 다층박막에서의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상의 생성 및 상전이
Formation of amorphous and crystalline phase, phase sequence by solid state reaction in Co/Si multilayer thin films 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.4 no.3, 1994년, pp.301 - 311  

심재엽 (연세대학교 금속공학과) ,  박상욱 (연세대학교 금속공학과) ,  지응준 (연세대학교 금속공학과) ,  곽준섭 (연세대학교 금속공학과) ,  최정동 (연세대학교 금속공학과) ,  백홍구 (연세대학교 금속공학과)

초록
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Co/Si계에서 고상확산에 의하여 비정질상이 생성되는지의 여부를 유효구동력 개념을 이용하여 예측하였으며 유효생성열 개념 및 PDF모델로부터 결정상의 생성과 상전이를 예측하였다. 한편, DSC와 XRD를 이용하여 Co/Si다층박막에서의 비정질상의 생성여부와 결정상의 생성 및 상전이를 확인하여 모델로부터 예측한 결과와 비교하였다. Co/si계에서는 비정질상이 성장하지 않았으며 이는 유효구동력 개념으로부터 예측된 결과와 일치하였다. Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 CoSi였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 각각 $CO_2Si$와 CoSi였다. 따라서 Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 구조적인 요소를 고려해 PDF모델의 예측결과와 잘 일치하였다. 증착당시 Co와 Si의 조성비가 2대 1일경우와 1대 2일 경우의 상전이는 각각 $CoSi \to Co_2Si$$CoSi \to Co_2Si \to CoSi \to CoSi_2$의 초기단계의 생성기구는 각각 핵생성이 율속이었으며, 이들의 생성에 필요한 활성화에너지는 각각 1.71, 2.34, 2.79eV이었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The growth of amorphous and first crystalline phase, and phase sequence by solid state reaction were examined in Co/Si multilayer thin films by DSC and XRD. The experimental results were compared with the results expected by effective driving force models, PDF and effective heat of formation models....

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