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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.8, 1994년, pp.34 - 45
김현철 (금성일렉트론 연구소) , 나준호 (인하대학교 전자공학과) , 김철성 (인하대학교 전자공학과)
We studied threshold voltages and I-V characteristics. considering short channel effect of the fully depleted thin film n-channel SOI MOSFET. We presented a charge sharing model when the back surface of short channel shows accumulation depletion and inversion state respectively. A degree of charge s...
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