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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.13 no.8, 2000년, pp.651 - 657
유석빈 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김남훈 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부) , 장의구 (중앙대학교 전자전기공학부)
The notching effect in etching of undoped amorphous silicon gate had different characteristics and mechanism comparing with reported ones. The undoped amorphous silicon was etched by using HBr gas plasma. First in the region of small line width the potential increased as a result of ions in the expo...
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