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베이스 영역의 불순물 분포를 고려한 집적회로용 BJT의 역포화전류 모델링
The Modeling of the Transistor Saturation Current of the BJT for Integrated Circuits Considering the Base 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.40 no.4 = no.310, 2003년, pp.13 - 20  

이은구 (인하대학교 전자공학과) ,  김태한 (인하대학교 전자공학과) ,  김철성 (인하대학교 전자공학과)

초록
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반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The model of the transistor saturation current of the BJT for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed. The method for calculating the doping profile in the base region using process conditions is presented and the method for calculating the base Gummel number of lateral ...

주제어

#역포화전류   #Gaussian 분포   #SPICE 파라미터   #공정조건  

참고문헌 (8)

  1. Paul W. Tuinenga, SPICE A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using PSpice, Prentice Hall, Englewood Cliffs, New Jersey, 1988 

  2. Ian E. Getreu, Modeling the Bipoar Transistor, Elsevier scientific publishing company, New York, 1978 

  3. 윤현민, 김태한, 김대영, 김철성, '3차원 정상상태의 드리프트-확산방정식의 해석 프로그램 개발', 대한전자공학회논문집 제34권 D편 제8호, pp. 41-51, 1997 

  4. TMA TSUPREM4 Manual, Technology Modeling Associates, Inc., pp. 2.1-2.76, 1993 

  5. B. J. Baliga, Power semiconductor devices, PWS publishing company, Boston, pp. 198-232, 1996 

  6. Kuntal Joardar, 'An Improved Analytical Model for Collector Currents in Lateral Bipolar Transistors', IEEE Tran. Electron Devices, Vol. 41, No. 3, pp. 373-382, Mar, 1994 

    상세보기 crossref

  7. R. S. Muller, T. I. Kamins, Device electronics for Integrated Circuits, John Wiley & Sons, New York, pp. 110-115, pp. 270-294, 1977 

  8. Paolo Antognetti, Power Integrated circuits: Physics Design and Applications, McGraw-Hill, New York, pp. 3.14-4.11, 1986 

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