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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.16 no.7, 2003년, pp.584 - 592
김영석 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 오충완 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 최재승 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 송지헌 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 이장희 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 이형규 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부) , 박근형 (충북대학교 전기전자컴퓨터공학부)
6H-SiC MOSFETs and digital ICs have been fabricated and characterized. PMOS devices are fabricated on an n-type epilayer while the NMOS devices are fabricated on implanted p-wells. NMOS and PMOS devices use a thermally grown gate oxide. SiC MOSFETs are fabricated using different impurity activation ...
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Capano, M. A., Ryu, S., Melloch, M. R., Cooper Jr., J. A., Buss, M. R.. Dopant activation and surface morphology of ion implanted 4H- and 6H-silicon carbide. Journal of electronic materials, vol.27, no.4, 370-376.
Ryu, Sei-Hyung, Kornegay, K.T., Cooper Jr., J.A., Melloch, M.R.. Digital CMOS IC's in 6H-SiC operating on a 5-V power supply. IEEE transactions on electron devices, vol.45, no.1, 45-53.
Ryu, S., Kornegay, K.T., Cooper, J.A., Melloch, M.R.. Monolithic CMOS digital integrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.18, no.5, 194-196.
Xie, W., Cooper, J.A., Melloch, M.R.. Monolithic NMOS digital integrated circuits in 6H-SiC. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.15, no.11, 455-457.
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